爾必達出貨30nm 4GB DDR3筆記本內存條
發布時間：2010-12-22 13:27:37
摘 要：日本存儲大廠爾必達今天宣布，全球第一款采用30nm先進工藝的4GB DDR3 SO-DIMM筆記本內存條已經開始試驗性出貨。
日本存儲大廠爾必達今天宣布，全球第一款采用30nm先進工藝的4GB DDR3 SO-DIMM筆記本內存條已經開始試驗性出貨。
這種內存條使用了16顆DDR3 SDRAM內存顆粒，雙面雙列安置，總容量4GB，采用標準的240針SO-DIMM封裝。
這些新型內存顆粒均采用30nm CMOS工藝制造而成，單顆容量2Gb(256MB)，數據傳輸率最高可達1866MHz(亦即DDR3-1866)，供電電壓則是標準的1.5±0.075V，運行環境溫度0-95℃。
爾必達宣稱，相比于上一代40nm工藝，新的30nm工藝可將內存條的運行電流降低20％、待機電流降低30％，達到了行業新低，符合環保節能趨勢，也有利于延長電池續航時間；同時新工藝生產線的整體變化不大，有利于降低生產和產品成本。
爾必達計劃于2011年第一季度開始量產這種30nm 4GB DDR3內存條，可廣泛用于筆記本、上網本、平板機和其他移動便攜設備。
（責任編輯：企業網 來源：驅動之家 ）
