Micron Technology, Inc. (美光科技股份有限公司) 近日宣布采用1z納米制程的DDR5寄存型DIMM (RDIMM) 已開始出樣。DDR5 是迄今為止技術上最為先進的DRAM,其內存性能提升至少85%,從而應對下一代服務器負載。如今數據中心的系統架構正在提供日益增多的處理器核心數、以及更大的內存帶寬與容量,而 DDR5 使內存密度翻倍,并同時提升可靠性。
“幾乎所有應用環境的數據都在激增,數據中心從負載的工作中挖掘價值的挑戰越來越大,” 美光科技計算和網絡產品事業部高級副總裁兼總經理 Tom Eby 表示,“更高性能、更高密度和更優質的內存是應對這些負載的關鍵所在。美光出樣 DDR5 RDIMM 是一項重大進展,幫助業界進一步提升了下一代以數據為核心的應用價值。”
快速增多的數據集和計算密集型應用環境產生了更高要求的工作負載,進而帶來處理器核心數的增長,但目前的 DRAM 技術無法滿足帶寬需求。相較于 DDR4,DDR5 性能提升逾 1.85 倍。DDR5 還實現了現代數據中心所需要的可靠性、可用性和可服務性 (RAS)。