責任編輯：zsheng | 2019-01-13 13:09:12 本文摘自：科技訊
除此之外，三星方面還表示，將在今年下半年開始生產7nm EUV芯片。在去年，三星還表示將在2020年用上4nm GAAFET(Gate-all-around FET，或稱“環繞式結構FET”)工藝。不過包括Garner副總裁Samuel Wang在內的一些業內人士，對GAAFET芯片是否能在2022年前投入生產表示了懷疑。
雖然臺積電、格羅方德Global Foundries)在EUV芯片開發上方面并不落后，但三星也有自己的一個優勢。三星已經在內部開發了自家了EUV掩膜檢測工具，只是尚未開發出類似的商業工具。
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責任編輯：zsheng | 2019-01-13 13:09:12 本文摘自：科技訊
除此之外，三星方面還表示，將在今年下半年開始生產7nm EUV芯片。在去年，三星還表示將在2020年用上4nm GAAFET(Gate-all-around FET，或稱“環繞式結構FET”)工藝。不過包括Garner副總裁Samuel Wang在內的一些業內人士，對GAAFET芯片是否能在2022年前投入生產表示了懷疑。
雖然臺積電、格羅方德Global Foundries)在EUV芯片開發上方面并不落后，但三星也有自己的一個優勢。三星已經在內部開發了自家了EUV掩膜檢測工具，只是尚未開發出類似的商業工具。
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