華為表示該芯片將在2019年推出,采用臺積電7nm工藝制造,在ARMv8架構的基礎上,華為自主設計了代號“TaiShan”(泰山)的核心,支持48核心、64核心配置。
新的Hi1620單路將配備24至64個內核,運行頻率為2.4-3.0 GHz;每核心配置512KB二級緩存和1MB三緩。
存儲方面Hi1620最高支持8通道DDR4-3200;IO方面Hi1620可支持40個PCIe 4.0通道,這個數字小于Hi1616的46個通道。
此外,Hi1620還將支持CCIX、雙100GbE MAC(十萬兆網絡連接)、4個USB 3.0、16個SAS3.0接口和2個SATA 3.0接口。
Hi1620的封裝尺寸為60x75mm ,相比上一代Hi1616的57.5x57.5mm大了一點。不過華為官方表示,Hi1620將功耗控制在100W至200W的范圍內,即24核對應100W,64核對應200W。
此外大會上,華為首次宣布,2019年將正式推出全球首個智能SSD管理芯片“Hi1711”。