三星表示,在同樣的復(fù)雜性下,使用7LPP制造技術(shù)能夠減少40%的面積,而在相同頻率和復(fù)雜度下,可以降低50%的功耗,性能方面則可提升20%。因此,三星工廠在選擇層使用極紫光外刻技術(shù)后,其就能夠在下一代的SoC中放置40%以上的晶體光,還能夠降低其功耗。
其透露,使用EUV可以將芯片所需要的掩模數(shù)量減少20%,并且,三星表示他們已經(jīng)開發(fā)出了專有的EUV掩模檢測工具,可以在制造周期的早期進(jìn)行早期缺陷檢測并消除缺陷。如此一來,能夠提升芯片的良品率。
目前,三星在韓國華城的Fab廠S3中專注生產(chǎn)7LPP使用極紫外光刻技術(shù)的芯片。該工廠每天可以在其ASML Twinscan NXE,通過3400B EUVL進(jìn)行掃描,在每個280W光源上處理1500個晶圓。
三星營銷團(tuán)隊執(zhí)行副總裁Charlie Bae說。“晶圓生產(chǎn)方式的這種根本性轉(zhuǎn)變使我們的客戶有機(jī)會以卓越的產(chǎn)量,減少的層數(shù)和更高的產(chǎn)量顯著提高產(chǎn)品的上市時間。我們相信7LPP不僅是移動和HPC的最佳選擇,也適用于廣泛的尖端應(yīng)用。”
基于此,有媒體預(yù)計,2019年三星智能耍手機(jī)或許將推出一款7nmSoC。不過,目前已知高通將會采用三星的這種7LPP技術(shù)作為其“Snapdragon 5G移動芯片組”。
據(jù)悉,三星的7LPP制造技術(shù)由于公司為移動SoC設(shè)計的10LPP,具有一定的優(yōu)勢。并且,三星為了使用該流程對潛在客戶根據(jù)吸引力,該工廠還提供了一套全面的設(shè)計支持工具,接口IP,參考流程以及更先進(jìn)的封裝解決方案。
當(dāng)前,7LPP已經(jīng)俘虜了眾多三星高級代工生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴的支持,比如Arm、Mentor、Synopsys、Ansys、Cadence、SEMCO等。
如今,在傳統(tǒng)芯片巨頭企業(yè)之外,芯片的入局者也越來越多,競爭更加激烈。在芯片制作工藝層面,無論是所需要的設(shè)備、亦或者技術(shù)都是極其稀少的。因此,在制作工藝層面的創(chuàng)新,實質(zhì)上也相當(dāng)于在芯片的競爭中掌握了一定的主動權(quán)。
不過,三星的這種7LPP技術(shù)也存在一定的局限性。由于EUVL僅用于選擇7LPP芯片層,因為相對有限數(shù)量的Twinscan NXE:3400B掃描儀幾乎不成問題,撒旦是,如果該工藝技術(shù)需要EUV用于更多層的時候,就很有可能需要擴(kuò)展器EUV容量。