據韓聯社北京時間12月20日報道，三星電子今天宣布，公司已開始通過第二代10納米級制程工藝量產DRAM內存芯片。

三星稱，公司使用第二代10納米級工藝生產出了8Gb DDR4芯片，實現了新的突破。2016年2月，三星已使用第一代10納米級工藝生產出了8Gb DDR4芯片。

另據路透社報道，三星開發的8Gb DDR4芯片是“全球最小”的DRAM芯片，擴大了領先對手的優勢。在半導體業務的推動下，三星今年的營業利潤有望創下紀錄。

　　三星開發的8Gb DDR4芯片

三星稱，和第一代10納米級工藝相比，第二代工藝的產能提高30%，有助于公司滿足全球客戶不斷飆升的DRAM芯片需求。而且，第二代10納米級芯片要比第一代芯片快10%，功耗降低15%。

作為全球最大芯片制造商，三星表示，和2012年使用20納米工藝生產的4Gb DDR3芯片相比，新的8Gb DDR4芯片在容量、速度以及功效上都提升了一倍。

三星稱，公司希望通過擴大10納米級DRAM芯片的生產，進一步提升整體競爭力。三星還表示，公司將使用新工藝為客戶生產更多優質產品，利用最新技術進步，深挖服務器、移動和圖形芯片市場。三星將在2018年把現有多數DRAM芯片產能轉移到10納米級芯片上。

三星在10月底為半導體部門等三大主要業務任命了新一代負責人。三星稱，公司并不尋求立即擴大芯片出貨量，但會投資維持長期市場地位。