根據Yole Développement公司最新名為“2017年RF功率市場和技術：GaN、GaAs以及LDMOS”的報告預測，隨著電信運營商投入的減少，射頻功率半導體市場在2015年和2016年縮水之后， 2016年至2222年該市場（3W以上的應用）將以9.8%的復合年均增長率（CAGR）增長，將從2016年的15億美元增長到2022年的25億美元以上，增長率達75%。

此增長趨勢是由電信基站升級以及小型基站部署推動的。

Technology & market分析師Zhen Zong表示：“在未來五年內向5G實施的革命性轉型正在極大改變RF技術的發展。”這不僅適用于智能手機應用，而且還適用于3W以上的射頻電信基礎設施應用；而5G在這一射頻功率市場為復合半導體提供了巨大商機。

Yole表示，市場目前正處于4G網絡即將完成的階段，并開始向5G轉型，但仍有許多工作要落實。然而，有些事情是肯定的：新的無線電網絡將需要更多的設備和更高的頻率。因此Yole斷定，對于芯片供應商而言，特別是射頻功率半導體芯片供應商而言，這將是一大良機。

Technology & market分析師Dr Hong Lin指出：“電信基礎設施（包括基站和無線回程）的市場規模占總市場的一半左右。2016年至2022年間，基站市場預計將以12.5%的CAGR繼續增長，而電信回程市場則將以5.3%的CAGR繼續增長。”

同時，Yole指出，國防應用也為射頻功率器件提供了良好的機會，因為采用砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN）的固態技術替代傳統的真空管設計是一種未來發展趨勢。

在各種應用中，這些新技術提供了更好的性能、更小的尺寸和堅固性，因此它們逐漸占據了更多的市場份額。該市場在2016 - 2222年間將以4.3%的復合年均增長率（2022年上升20%）增長。