韓國《東亞日報》3月8日報道稱，三星電子今年在半導體領域設施上的投資額將比去年增長11%，達到125億美元的規模。去年的設施投資額為113億美元。

存儲器半導體和系統LSI的投資比重為8：2左右。三星電子正在京畿道平澤市興建世界最大規模的半導體生產線。一旦工廠竣工，將從今年中期開始存儲器半導體V nand flash的量產。

電子業界認為，三星針對半導體市場看好的預測，擴大了投資的規模。隨著物聯網市場的擴大和高級數碼機器的上市，存儲器半導體的需求將大幅增加。

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