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2016年度中國半導體產業十大事件點評

責任編輯:editor007 作者:陳炳欣 趙晨 |來源:企業網D1Net  2017-01-06 17:37:04 本文摘自:賽迪網-中國電子報

2016年全球半導體行業繼續上演深度調整與整合,超大規模的并購持續,市場經歷小幅的衰退,企業苦苦尋找新的增長點。相對而言,中國半導體產業受國家利好政策的支持有著更好的表現,Foundry廠新產線投資不斷,存儲器建設初露端倪,新生設計公司大幅增長。即使是傳統短板的設備與材料領域也獲得一些進步,中國半導體產業正在加速追趕。新年伊始,《中國電子報》盤點“2016年中國半導體產業十大新聞事件”,總結梳理,展望未來。

1 大基金、紫光投資長江存儲,中國進軍存儲器產業

2016年7月26日,長江存儲科技有限責任公司宣布成立。公司注冊資本分兩期出資,一期由國家集成電路產業投資基金股份有限公司、湖北國芯產業投資基金合伙企業(有限合伙)和湖北省科技投資集團有限公司共同出資,并在武漢新芯的基礎上建立長江存儲。二期將由紫光集團和國家集成電路產業投資基金股份有限公司共同出資。

點評:中國發展存儲器產業十分必要。除長江存儲之外,福建晉華與聯電簽訂技術合作協定,由聯電協助其生產利基型DRAM;新建的12英寸廠房已經動工,初步產能規劃每月6萬片,估計2017年底完成技術開發,2018年9月試產。合肥長鑫公司將投入約500億元,在合肥打造月產能12.5萬片的12英寸晶圓廠生產存儲器,另有消息稱北京兆易創新也將加入。中國大陸存儲器產業已經逐漸形成三股力量。

然而,全球存儲產業高度集中,新力量進入并不容易。中國發展存儲器產業既要面對國際大廠競爭,又要面臨西方技術封鎖。存儲器的發展需要技術、人才等必要條件。中國集成電路產業除市場外,其他可以引以為傲的鳳毛麟角。力量分散將不利于存儲產業發展,未來希望減少內耗,集中資源。預計2018年幾家企業有產能開出的時候將是重要的時間節點,需要重點觀察。

2 中芯、華力密集建廠,中國IC制造業再度發力

在“國家集成電路產業發展投資基金”與地方政府的支持下,國內最大的兩家晶圓代工企業中芯國際和華力微開始大舉擴張產能。2016年10月13日,中芯國際投資近千億元在上海開工新建一條12英寸生產線,制程為14納米及以下,月產能7萬片;另外,中芯國際還在深圳投資建設一條月產能4萬片的12英寸生產線,在天津投資擴充原天津8英寸廠的產能,由4.5萬片/月,擴大至15萬片/月。華力微則宣布啟動二期12英寸高工藝等級生產線建設項目,總投資達387億元,規劃月產能4萬片。

點評:隨著《國家集成電路產業發展推進綱要》的發布,中國IC產業獲得新一輪高速發展。其中,又以晶圓制造為重點領域。根據SEMI的數據,目前處于規劃或建設階段、預計將于2017年~2020年間投產的62座半導體晶圓廠中,26座設于中國大陸,占全球總數的42%。中國集成電路企業在這個市場環境中想要繼續運營發展,不斷擴大投入是必然之舉。但是,關鍵是要找到積累與擴張的平衡之道。積累與投資是在平衡中發展的,一家優秀的企業應當兩邊都能夠兼顧。當然,在這一輪國際半導體發展變革期內,企業應當多考慮擴張,把局布好,把戰略要地占住。

3 并購愛思強遭CFIUS阻撓,半導體“海淘”遇阻

2016年12月2日,中國福建宏芯投資基金收購德國半導體制造商愛思強(Aixtron)在美業務被禁。該禁令是基于美國CFIUS的評估,美方擔心愛思強可用于軍事用途的氮化鎵(GaN)材料被中國所掌握。這并非孤例,CFIUS擔憂中國企業通過并購獲得敏感技術,多次阻撓中國IC企業的海外并購,如紫光入主西部數據流產、并購美光遇阻等。

點評:2016年國際半導體行業并購、擴容熱度不減。截至目前,半導體行業并購交易規模已達1302億美元。然而,2016年中國半導體企業對海外資產的收購熱度卻明顯弱于去年。雖然中國企業(或資本)數度發起收購案,可成功案例并不多,主要原因與外部環境有關。

美國政府對中國半導體發展完全沒有必要如此敏感。雖經努力發展,我國在核心關鍵的芯片上有所突破,但是力度仍不大。中國市場的自我供應與需求相比差距較大,短時間內不可能超過美國。半導體是一個開放的市場,中國的市場也是世界的市場,大家應攜手共同推動全球集成電路產業的發展。

4 大基金兩年投700億元,扶持集成電路產業發展

自2014年8月成立以來,國家集成電路產業投資基金(簡稱大基金)已經投出約700億元,扶持集成電路龍頭企業的發展。大基金2016年把更大力度放在支持集成電路制造業和特色集成電路產業發展上,重點推進了存儲器項目。大基金2016年在制造領域的投資比例由2015年的45%提升到60%。此外,大基金還投資了珠海艾派克、湖南國科、北斗星通、中興微電子、硅谷數模等企業。大基金也重點支持特色半導體發展,主要方向是砷化鎵、氮化鎵,未來還有可能支持碳化硅領域。目前,大基金在這個領域已經投資了士蘭微、三安光電。

點評:任何一項高科技產業的發展成熟都離不開創新鏈、產業鏈與金融鏈的合力推進,而且缺一不可。國家級集成電路產業投資基金成立,鼓勵社會資本投入,有效激活了集成電路產業的金融鏈。2016年我國集成電路業界之所以能夠掀起投資發展熱潮,除了國際大背景外,國內資金瓶頸的解決也是功不可沒的。據悉,2017年大基金將向設計領域加大傾斜力度。

5 北京君正收購豪威科技、思比科,IC并購轉向國內

北京君正2016年12月15日稱擬購買北京豪威100%股權、視信源100%股權、思比科40.4343%股權,合計126億元。通過收購北京豪威及思比科,北京君正將快速進入CMOS圖像傳感器芯片領域。在完成上述收購后,北京君正這家以MIPS內核起家的設計公司將有機會擴展產品線,補上CMOS部分,有望擴大在可穿戴設備等方面的消費電子市場份額。

點評:2016年中國半導體資本市場的熱度明顯高于2015年,除國家集成電路產業投資基金持續投資,珠海艾派克、湖南國科、北斗星通、中興微電子、硅谷數模等企業都得到資金注入外,還有北京兆易創新在上海、長沙景嘉微電子在深圳成功上市。在并購方面,最具代表性的是兆易創新對ISSI的收購,北京君正對豪威科技的收購。由于在海外受阻,中國半導體并購資本逐漸將目標轉向了國內。這也算是“失之東隅,收之桑榆”之喜吧。

6 貴州華芯通成立,目標ARM架構服務器芯片

2016年1月17日,高通公司與貴州省相關部門以18.5億元(約2.8億美元)合資成立貴州華芯通半導體技術有限公司,進行服務器芯片的設計、開發與銷售。2016年11月18日,華芯通宣布正式啟用位于北京望京地區的北京研發中心。目前,公司已獲得來自ARM v8-A架構授權和技術轉移,將開發10納米的服務器芯片。

點評:長期以來,我國在通用CPU領域一直受制于人。信息通信技術的深度融合以及云計算/大數據和SDN/NFV的快速發展,正在推動計算架構、網絡架構、存儲架構向通用化方向演進。這對互聯網服務器CPU提出了全新的規格需求,同時也給我國發展CPU產業帶來了新一輪的黃金發展機遇期。以互聯網服務器CPU為切入點,實現在高端服務器及通用CPU領域的安全自主可控發展是當務之急。

7 手機芯片開啟10nm時代,中國通信芯片走向高端

2016年,全球智能手機芯片市場的競爭越來越激烈,“寡頭競爭”趨勢已經十分明顯。“寡頭”間的碰撞則不斷朝中高端市場延伸。高通采用10nm工藝的驍龍835發布,聯發科、華為海思也將采用該工藝生產芯片,華為海思將推出采用10nm工藝的麒麟970,聯發科的Helio X30也將采用10nm工藝。

點評:集成電路是信息技術產業發展的重要基礎。近年來,在國家一系列產業政策的扶持推動下,中國IC產業取得了一定發展。2016年,中國集成電路銷售收入預計達到1518.52億元(約合228.35億美元),相比2015年增長23.04%。然而,另一方面,整體技術水平不高、核心產品創新能力不足等問題依然存在,特別是在CPU、存儲器等高端領域,芯片產品發展不力,產業結構存在著較為嚴重的缺位情況。目前,通信芯片是中國IC產業發展狀況最好的部分,下一步需要解決中國高端芯片發展不足的問題。

8 中芯長電半導體規模量產,進入到14納米產業鏈

2016年7月28日,中芯國際與長電科技合資成立的中芯長電半導體有限公司舉行了14納米凸塊加工量產儀式。中芯長電半導體的12英寸28納米凸塊加工技術在2015年底已通過客戶的產品驗證,成為國內第一家、也是唯一一家可提供14納米凸塊加工中段硅片制造服務的公司。凸塊加工是中段硅片制造的基本工藝之一,在強調高性能、低功耗、小尺寸的移動智能芯片中被廣泛應用。

點評:隨著移動智能時代的發展,集成電路芯片對性能、功耗、面積的要求越來越高,傳統的芯片架構越來越力不從心,中段工藝在半導體制造產業鏈中已成為必不可少的關鍵環節。中芯長電半導體項目量產表明我國在半導體制造工藝上取得重大突破,意味著我國首次成功打通了移動智能通信芯片加工制造產業鏈的全部環節,為我國集成電路企業參與國際頂級陣營的競爭,奠定了堅實基礎。

9 硅襯底LED項目獲國家技術發明一等獎,核心專利實現突破

2016年1月8日,南昌大學硅襯底LED項目獲得2015年度國家技術發明獎中唯一的一等獎。根據生長襯底不同,藍光LED技術有三條主流技術路線:日本的藍寶石襯底LED技術、美國的碳化硅襯底LED技術和中國的硅襯底LED技術,而前兩條技術路線已經被歐、美、日等國占盡先機。經過多年的運作,五家國際大企業已經通過交叉授權等手段,在LED產業構筑了森嚴的專利壁壘。硅襯底LED技術實現了產業化,獲授權發明專利68項,實現了核心部件的每一層都有專利保護。

點評:硅襯底LED技術從源頭上避開了發達國家的技術壁壘,不僅從實驗室走向了國際市場,更是已經具備了大規模產業化能力,成為提升我國LED照明產業國際地位和競爭力的關鍵。隨著硅襯底LED技術和工藝的成熟,產業化進程也將隨之加快,其產品有望向一系列性能更高、附加值更高的照明領域延伸。

10 2016年中國光伏裝機31GW,繼續領跑全球

太陽能行業咨詢公司Mercom Capital發布了一份研究報告:預測2016年光伏裝機量將高達76GW,而中國將以高達31GW的總裝機量繼續領跑全球光伏市場。這也是中國自2013年以來,連續四年獲得光伏裝機總量的第一名。該研究報告分析稱,中國光伏搶裝潮之后的需求放緩,導致市場出現供大于求的情況,致使組件價格大幅下跌,但低組件價格有助于2017年的需求恢復。預計2017年全球太陽能需求前景并不會像預期那樣放緩,反而有所改觀。

點評:2016年全球光伏裝機量驚人的增長速度部分原因可以歸功于中國在2016年上半年出現的光伏搶裝潮和第四季度的強勁表現。有研究報告稱,由于中國裝機量出現了前所未有的熱潮,國家能源局將太陽能安裝目標從2020年的150GW減少到110GW,減少了27%。

關鍵字:中國半導體硅襯底

本文摘自:賽迪網-中國電子報

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2016年度中國半導體產業十大事件點評

責任編輯:editor007 作者:陳炳欣 趙晨 |來源:企業網D1Net  2017-01-06 17:37:04 本文摘自:賽迪網-中國電子報

2016年全球半導體行業繼續上演深度調整與整合,超大規模的并購持續,市場經歷小幅的衰退,企業苦苦尋找新的增長點。相對而言,中國半導體產業受國家利好政策的支持有著更好的表現,Foundry廠新產線投資不斷,存儲器建設初露端倪,新生設計公司大幅增長。即使是傳統短板的設備與材料領域也獲得一些進步,中國半導體產業正在加速追趕。新年伊始,《中國電子報》盤點“2016年中國半導體產業十大新聞事件”,總結梳理,展望未來。

1 大基金、紫光投資長江存儲,中國進軍存儲器產業

2016年7月26日,長江存儲科技有限責任公司宣布成立。公司注冊資本分兩期出資,一期由國家集成電路產業投資基金股份有限公司、湖北國芯產業投資基金合伙企業(有限合伙)和湖北省科技投資集團有限公司共同出資,并在武漢新芯的基礎上建立長江存儲。二期將由紫光集團和國家集成電路產業投資基金股份有限公司共同出資。

點評:中國發展存儲器產業十分必要。除長江存儲之外,福建晉華與聯電簽訂技術合作協定,由聯電協助其生產利基型DRAM;新建的12英寸廠房已經動工,初步產能規劃每月6萬片,估計2017年底完成技術開發,2018年9月試產。合肥長鑫公司將投入約500億元,在合肥打造月產能12.5萬片的12英寸晶圓廠生產存儲器,另有消息稱北京兆易創新也將加入。中國大陸存儲器產業已經逐漸形成三股力量。

然而,全球存儲產業高度集中,新力量進入并不容易。中國發展存儲器產業既要面對國際大廠競爭,又要面臨西方技術封鎖。存儲器的發展需要技術、人才等必要條件。中國集成電路產業除市場外,其他可以引以為傲的鳳毛麟角。力量分散將不利于存儲產業發展,未來希望減少內耗,集中資源。預計2018年幾家企業有產能開出的時候將是重要的時間節點,需要重點觀察。

2 中芯、華力密集建廠,中國IC制造業再度發力

在“國家集成電路產業發展投資基金”與地方政府的支持下,國內最大的兩家晶圓代工企業中芯國際和華力微開始大舉擴張產能。2016年10月13日,中芯國際投資近千億元在上海開工新建一條12英寸生產線,制程為14納米及以下,月產能7萬片;另外,中芯國際還在深圳投資建設一條月產能4萬片的12英寸生產線,在天津投資擴充原天津8英寸廠的產能,由4.5萬片/月,擴大至15萬片/月。華力微則宣布啟動二期12英寸高工藝等級生產線建設項目,總投資達387億元,規劃月產能4萬片。

點評:隨著《國家集成電路產業發展推進綱要》的發布,中國IC產業獲得新一輪高速發展。其中,又以晶圓制造為重點領域。根據SEMI的數據,目前處于規劃或建設階段、預計將于2017年~2020年間投產的62座半導體晶圓廠中,26座設于中國大陸,占全球總數的42%。中國集成電路企業在這個市場環境中想要繼續運營發展,不斷擴大投入是必然之舉。但是,關鍵是要找到積累與擴張的平衡之道。積累與投資是在平衡中發展的,一家優秀的企業應當兩邊都能夠兼顧。當然,在這一輪國際半導體發展變革期內,企業應當多考慮擴張,把局布好,把戰略要地占住。

3 并購愛思強遭CFIUS阻撓,半導體“海淘”遇阻

2016年12月2日,中國福建宏芯投資基金收購德國半導體制造商愛思強(Aixtron)在美業務被禁。該禁令是基于美國CFIUS的評估,美方擔心愛思強可用于軍事用途的氮化鎵(GaN)材料被中國所掌握。這并非孤例,CFIUS擔憂中國企業通過并購獲得敏感技術,多次阻撓中國IC企業的海外并購,如紫光入主西部數據流產、并購美光遇阻等。

點評:2016年國際半導體行業并購、擴容熱度不減。截至目前,半導體行業并購交易規模已達1302億美元。然而,2016年中國半導體企業對海外資產的收購熱度卻明顯弱于去年。雖然中國企業(或資本)數度發起收購案,可成功案例并不多,主要原因與外部環境有關。

美國政府對中國半導體發展完全沒有必要如此敏感。雖經努力發展,我國在核心關鍵的芯片上有所突破,但是力度仍不大。中國市場的自我供應與需求相比差距較大,短時間內不可能超過美國。半導體是一個開放的市場,中國的市場也是世界的市場,大家應攜手共同推動全球集成電路產業的發展。

4 大基金兩年投700億元,扶持集成電路產業發展

自2014年8月成立以來,國家集成電路產業投資基金(簡稱大基金)已經投出約700億元,扶持集成電路龍頭企業的發展。大基金2016年把更大力度放在支持集成電路制造業和特色集成電路產業發展上,重點推進了存儲器項目。大基金2016年在制造領域的投資比例由2015年的45%提升到60%。此外,大基金還投資了珠海艾派克、湖南國科、北斗星通、中興微電子、硅谷數模等企業。大基金也重點支持特色半導體發展,主要方向是砷化鎵、氮化鎵,未來還有可能支持碳化硅領域。目前,大基金在這個領域已經投資了士蘭微、三安光電。

點評:任何一項高科技產業的發展成熟都離不開創新鏈、產業鏈與金融鏈的合力推進,而且缺一不可。國家級集成電路產業投資基金成立,鼓勵社會資本投入,有效激活了集成電路產業的金融鏈。2016年我國集成電路業界之所以能夠掀起投資發展熱潮,除了國際大背景外,國內資金瓶頸的解決也是功不可沒的。據悉,2017年大基金將向設計領域加大傾斜力度。

5 北京君正收購豪威科技、思比科,IC并購轉向國內

北京君正2016年12月15日稱擬購買北京豪威100%股權、視信源100%股權、思比科40.4343%股權,合計126億元。通過收購北京豪威及思比科,北京君正將快速進入CMOS圖像傳感器芯片領域。在完成上述收購后,北京君正這家以MIPS內核起家的設計公司將有機會擴展產品線,補上CMOS部分,有望擴大在可穿戴設備等方面的消費電子市場份額。

點評:2016年中國半導體資本市場的熱度明顯高于2015年,除國家集成電路產業投資基金持續投資,珠海艾派克、湖南國科、北斗星通、中興微電子、硅谷數模等企業都得到資金注入外,還有北京兆易創新在上海、長沙景嘉微電子在深圳成功上市。在并購方面,最具代表性的是兆易創新對ISSI的收購,北京君正對豪威科技的收購。由于在海外受阻,中國半導體并購資本逐漸將目標轉向了國內。這也算是“失之東隅,收之桑榆”之喜吧。

6 貴州華芯通成立,目標ARM架構服務器芯片

2016年1月17日,高通公司與貴州省相關部門以18.5億元(約2.8億美元)合資成立貴州華芯通半導體技術有限公司,進行服務器芯片的設計、開發與銷售。2016年11月18日,華芯通宣布正式啟用位于北京望京地區的北京研發中心。目前,公司已獲得來自ARM v8-A架構授權和技術轉移,將開發10納米的服務器芯片。

點評:長期以來,我國在通用CPU領域一直受制于人。信息通信技術的深度融合以及云計算/大數據和SDN/NFV的快速發展,正在推動計算架構、網絡架構、存儲架構向通用化方向演進。這對互聯網服務器CPU提出了全新的規格需求,同時也給我國發展CPU產業帶來了新一輪的黃金發展機遇期。以互聯網服務器CPU為切入點,實現在高端服務器及通用CPU領域的安全自主可控發展是當務之急。

7 手機芯片開啟10nm時代,中國通信芯片走向高端

2016年,全球智能手機芯片市場的競爭越來越激烈,“寡頭競爭”趨勢已經十分明顯。“寡頭”間的碰撞則不斷朝中高端市場延伸。高通采用10nm工藝的驍龍835發布,聯發科、華為海思也將采用該工藝生產芯片,華為海思將推出采用10nm工藝的麒麟970,聯發科的Helio X30也將采用10nm工藝。

點評:集成電路是信息技術產業發展的重要基礎。近年來,在國家一系列產業政策的扶持推動下,中國IC產業取得了一定發展。2016年,中國集成電路銷售收入預計達到1518.52億元(約合228.35億美元),相比2015年增長23.04%。然而,另一方面,整體技術水平不高、核心產品創新能力不足等問題依然存在,特別是在CPU、存儲器等高端領域,芯片產品發展不力,產業結構存在著較為嚴重的缺位情況。目前,通信芯片是中國IC產業發展狀況最好的部分,下一步需要解決中國高端芯片發展不足的問題。

8 中芯長電半導體規模量產,進入到14納米產業鏈

2016年7月28日,中芯國際與長電科技合資成立的中芯長電半導體有限公司舉行了14納米凸塊加工量產儀式。中芯長電半導體的12英寸28納米凸塊加工技術在2015年底已通過客戶的產品驗證,成為國內第一家、也是唯一一家可提供14納米凸塊加工中段硅片制造服務的公司。凸塊加工是中段硅片制造的基本工藝之一,在強調高性能、低功耗、小尺寸的移動智能芯片中被廣泛應用。

點評:隨著移動智能時代的發展,集成電路芯片對性能、功耗、面積的要求越來越高,傳統的芯片架構越來越力不從心,中段工藝在半導體制造產業鏈中已成為必不可少的關鍵環節。中芯長電半導體項目量產表明我國在半導體制造工藝上取得重大突破,意味著我國首次成功打通了移動智能通信芯片加工制造產業鏈的全部環節,為我國集成電路企業參與國際頂級陣營的競爭,奠定了堅實基礎。

9 硅襯底LED項目獲國家技術發明一等獎,核心專利實現突破

2016年1月8日,南昌大學硅襯底LED項目獲得2015年度國家技術發明獎中唯一的一等獎。根據生長襯底不同,藍光LED技術有三條主流技術路線:日本的藍寶石襯底LED技術、美國的碳化硅襯底LED技術和中國的硅襯底LED技術,而前兩條技術路線已經被歐、美、日等國占盡先機。經過多年的運作,五家國際大企業已經通過交叉授權等手段,在LED產業構筑了森嚴的專利壁壘。硅襯底LED技術實現了產業化,獲授權發明專利68項,實現了核心部件的每一層都有專利保護。

點評:硅襯底LED技術從源頭上避開了發達國家的技術壁壘,不僅從實驗室走向了國際市場,更是已經具備了大規模產業化能力,成為提升我國LED照明產業國際地位和競爭力的關鍵。隨著硅襯底LED技術和工藝的成熟,產業化進程也將隨之加快,其產品有望向一系列性能更高、附加值更高的照明領域延伸。

10 2016年中國光伏裝機31GW,繼續領跑全球

太陽能行業咨詢公司Mercom Capital發布了一份研究報告:預測2016年光伏裝機量將高達76GW,而中國將以高達31GW的總裝機量繼續領跑全球光伏市場。這也是中國自2013年以來,連續四年獲得光伏裝機總量的第一名。該研究報告分析稱,中國光伏搶裝潮之后的需求放緩,導致市場出現供大于求的情況,致使組件價格大幅下跌,但低組件價格有助于2017年的需求恢復。預計2017年全球太陽能需求前景并不會像預期那樣放緩,反而有所改觀。

點評:2016年全球光伏裝機量驚人的增長速度部分原因可以歸功于中國在2016年上半年出現的光伏搶裝潮和第四季度的強勁表現。有研究報告稱,由于中國裝機量出現了前所未有的熱潮,國家能源局將太陽能安裝目標從2020年的150GW減少到110GW,減少了27%。

關鍵字:中國半導體硅襯底

本文摘自:賽迪網-中國電子報

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