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《摩爾定律已死,半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展會(huì)停滯嗎?》、《摩爾定律這次真的到頭了! 》、《存在 50 年的摩爾定律正在失靈?》……近年來(lái),關(guān)于摩爾定律即將走向盡頭的報(bào)道簡(jiǎn)直數(shù)不勝數(shù),各方專(zhuān)家也紛紛發(fā)言表態(tài),支持這一說(shuō)法。如此看來(lái),這一科技界的鐵律真的沒(méi)有繼續(xù)生存下去的空間了嗎?正當(dāng)我們?yōu)橹苫髧@息之時(shí),計(jì)算技術(shù)界突然傳來(lái)了一個(gè)好消息:科學(xué)家已將晶體管制程從 14 nm縮減到了 1 nm!這樣,同樣體積的芯片上就能集成更多晶體管,摩爾定律有希望繼續(xù)它的傳奇預(yù)言!
這一巨大突破是由勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)完成的。在阿里·加維(Ali Javey)的帶領(lǐng)下,他們開(kāi)發(fā)出的新型晶體管柵極線寬只有1納米。(很難想象 1 nm到底有多小?以人類(lèi)的發(fā)絲作對(duì)比,后者寬度僅為約 5 萬(wàn)納米。)
研究成果
計(jì)算機(jī)技術(shù)界長(zhǎng)時(shí)間都遵循著摩爾定律,為什么現(xiàn)在人們開(kāi)始懷疑它不能持續(xù)下去了呢?根據(jù)物理定律,5 nm被認(rèn)為是傳統(tǒng)半導(dǎo)體柵極線寬的極限,這大約是當(dāng)前市面上高端 20 納米柵極晶體管的 1/4 。而如果晶體管太小,分布太集中,就可能會(huì)產(chǎn)生量子隧穿效應(yīng),這將為芯片制造商帶來(lái)嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。
伯克力實(shí)驗(yàn)室研究人員蘇杰伊-德賽(Sujay Desai)稱(chēng):“長(zhǎng)期以來(lái),半導(dǎo)體行業(yè)一直認(rèn)為,任何小于5納米的柵極都不可能正常工作。因此,人們之前從未考慮過(guò)小于5納米的柵極。”
研究成果
但伯克利實(shí)驗(yàn)室卻打破傳統(tǒng)界限,開(kāi)發(fā)出了柵極僅有 1 nm 的晶體管。
維說(shuō):“我們開(kāi)發(fā)出了目前已知最小的晶體管。柵極長(zhǎng)度被用于衡量晶體管的規(guī)格,我們成功研制出 1 nm 柵極晶體管,這意味著只要所選擇的材料適當(dāng),當(dāng)前的電子零部件還有較大縮減空間。 ”
而德賽稱(chēng):“我們的研究成果表明,讓柵極低于 5 nm 并非不可能。 一直以來(lái),人們都是基于硅材料來(lái)縮小電子零部件的體積。但我們放棄了硅材料,選了二硫化鉬,結(jié)果開(kāi)發(fā)出了只有 1 nm 的柵極。”
硅和二硫化鉬都有一個(gè)晶格結(jié)構(gòu),但與二硫化鉬相比,通過(guò)硅流動(dòng)的電子更輕,遇到電阻更小。當(dāng)柵極為5 nm 或更長(zhǎng)時(shí),硅材料能發(fā)揮它的優(yōu)勢(shì)。但柵極長(zhǎng)度低于 5 nm 時(shí),就會(huì)出現(xiàn)了一種被稱(chēng)為“隧道效應(yīng)”的量子力學(xué)現(xiàn)象,從而阻止電流從源極流到漏極。
德賽解釋說(shuō):“這意味著我們無(wú)法關(guān)閉晶體管,電子完全失控了。”而通過(guò)二硫化鉬流動(dòng)的電子更重,因此可以通過(guò)更短的柵極來(lái)控制。
研究成果
選定二硫化鉬作為半導(dǎo)體材料后,接下來(lái)就需要來(lái)建造柵極。但制造 1 nm 的結(jié)構(gòu)并不是一件容易的事,傳統(tǒng)的光刻技術(shù)并不適用于這樣小的規(guī)模。 最終,研究人員轉(zhuǎn)向了碳納米管——直徑僅為 1 nm 的空心圓柱管。
經(jīng)研究人員測(cè)試顯示,采用碳納米管柵極的二硫化鉬晶體管能夠有效控制電子流動(dòng)。加維說(shuō):“這項(xiàng)研究表明,我們的晶體管將不再局限于 5 nm 柵極。通過(guò)使用適當(dāng)?shù)陌雽?dǎo)體材料和設(shè)備架構(gòu),摩爾定律還會(huì)繼續(xù)長(zhǎng)期生效。”
目前,這一研究還處在初級(jí)階段,《科學(xué)》雜志已刊登該項(xiàng)研究成果。雖然這一研究有望大大提升計(jì)算機(jī)的計(jì)算能力,具有十分重要的指導(dǎo)意義,但是,現(xiàn)階段想要達(dá)到大規(guī)模量產(chǎn)恐怕還有些困難。畢竟, 在 14 nm 制程下,一個(gè)模具上就有超過(guò) 10 億個(gè)晶體管,而一下子縮小到 1 nm,芯片制造商們可能還需要一段時(shí)間來(lái)緩緩神。