北京時間8月3日消息，據(jù)國外媒體報道，三星今天宣布，該公司已經(jīng)收購美國MRAM(磁阻隨機存取存儲器)廠商Grandis。

　　Grandis的非揮發(fā)性存儲技術(shù)是DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)和NAND閃存未來的競爭者，芯片能耗更低，性能更高。但是，目前大規(guī)模制造MRAM芯片的成本過高。

　　三星稱，Grandis將被整合到研發(fā)部門中。三星相關(guān)研發(fā)部門“專注于開發(fā)新一代存儲技術(shù)，評估新型半導(dǎo)體材料和結(jié)構(gòu)的長期商業(yè)價值”。

　　三星和Grandis沒有披露這一交易進一步的詳細(xì)資料。Grandis成立于2002年，有約25名員工，尚未發(fā)售一款產(chǎn)品

　　Grandis業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁亞歷克斯·德利斯科爾-史密斯(AlexDriskill-Smith)表示，通過去年與HynixSemiconductor達(dá)成的開發(fā)協(xié)議，該公司生產(chǎn)出了首款54納米芯片。Grandis預(yù)計，未來5年該公司的生產(chǎn)工藝將發(fā)展到20納米，甚至更先進。

　　Grandis的MRAM技術(shù)比傳統(tǒng)技術(shù)更先進。傳統(tǒng)MRAM芯片的工藝一直是99納米。

　　據(jù)德利斯科爾-史密斯稱，與廉價的NAND閃存芯片相比，MRAM芯片寫數(shù)據(jù)的能耗要低得多，“MRAM在許多方面要好于NAND閃存，NAND閃存芯片在改變每個存儲位的狀態(tài)時需要15伏至20伏的電壓，需要的時間量級為微秒，甚至達(dá)到毫秒”。