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當(dāng)前位置:存儲(chǔ)技術(shù)專區(qū) → 正文

盤點(diǎn)2012年存儲(chǔ)產(chǎn)品十大技術(shù)革新

責(zé)任編輯:sjia |來(lái)源:企業(yè)網(wǎng)D1Net  2012-06-30 08:55:19 本文摘自:中關(guān)村在線

摘要:存儲(chǔ)行業(yè)與廣大網(wǎng)友息息相關(guān),我們使用的電腦里有內(nèi)存和硬盤,手機(jī)里的存儲(chǔ)卡,外部存儲(chǔ)的移動(dòng)硬盤等等。因此存儲(chǔ)產(chǎn)品格外引人注意,它們涉及的技術(shù)更新?lián)Q代較之其他產(chǎn)品要快。

標(biāo)簽:存儲(chǔ)產(chǎn)品 SSD 硬盤

2012年上半年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)分析

IT風(fēng)云數(shù)十載,可謂變化萬(wàn)千。今年上半年內(nèi)存行業(yè)風(fēng)云突變,2月27日爾必達(dá)宣布破產(chǎn)保護(hù)后,內(nèi)存市場(chǎng)一改去年的陰霾,內(nèi)存價(jià)格從去年11月份的百元均價(jià)提高到如今的135元均價(jià)。

令人啼笑皆非的是,上半年內(nèi)存廠商轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存芯片,造成閃存產(chǎn)能過剩,將閃存產(chǎn)業(yè)弄得翻天覆地,SSD固態(tài)硬盤價(jià)格就跟去年內(nèi)存行情一樣跌的稀里嘩啦,網(wǎng)友們樂得滿心歡喜,原來(lái)SSD固態(tài)硬盤可以這么便宜。內(nèi)存商家哀嘆:“搞內(nèi)存的真是去哪,哪倒霉。”

2012年第一季度內(nèi)存芯片市場(chǎng)占有率

閃存廠家回過神祭出生產(chǎn)工藝的大旗,眾閃存廠家齊齊升級(jí)到19nm工藝,這下可愁懷了內(nèi)存廠家,清一色40nm工藝,拼工藝就是拼成本,很快內(nèi)存廠家又給趕回老本行。

內(nèi)存廠家們痛定思痛,三星發(fā)布20nm制造工藝的內(nèi)存成品,爾必達(dá)、海力士、美光涉足25nm,南亞科技和華亞科技、瑞晶紛紛轉(zhuǎn)進(jìn)30nm制造工藝。如今內(nèi)存行業(yè)的制造工藝門檻提到到30nm,將淘汰一批落后產(chǎn)能。

2011年12月-2012年6月宇瞻內(nèi)存價(jià)格走勢(shì)

歷史經(jīng)驗(yàn):我們根據(jù)5年前發(fā)生的DDR2-667升級(jí)DDR2-800時(shí)代,以及前年發(fā)生的DDR3-1066升級(jí)DDR3-1333時(shí)代的過渡規(guī)律。DDR2時(shí)代倒下奇夢(mèng)達(dá),DDR3時(shí)代倒下了爾必達(dá),如果內(nèi)存廠家不跟進(jìn)30nm,結(jié)果是...哪位廠家的后綴帶個(gè)“達(dá)”?免驚,DDR4還沒到呢。

新變化:新內(nèi)存的顆粒芯片普遍采用30nm制造工藝,對(duì)比4GB DDR3-1333所采用的40nm制造工藝,其內(nèi)存芯片的制造成本降低45%,產(chǎn)能提高50%左右。新工藝的好處那么多,難怪廠家們趨之若鷺。

承上啟下:新一代的電腦平臺(tái)默認(rèn)支持1600MHz頻率,推動(dòng)新內(nèi)存普及。使用其他非主流DDR3平臺(tái)的用戶無(wú)需擔(dān)心新版內(nèi)存的使用問題,因?yàn)镈DR3-1600內(nèi)存向下兼容DDR3-1333/1066,我們可以預(yù)見新版DDR3-1600內(nèi)存的轉(zhuǎn)換速度將相當(dāng)快。俗話說(shuō):“走得快,好世界。”內(nèi)存廠家再不趕趟可就晚了。

新時(shí)代的DDR3-1600內(nèi)存,4GB版本無(wú)疑是中堅(jiān)力量,并且普條是推動(dòng)新內(nèi)存普及的最重要力量,它是廣大主流消費(fèi)者購(gòu)買的主要對(duì)象。在即將結(jié)束的2012年上半年,2GB/4GB DDR3-1333陷入恐慌性跌價(jià),廠家不再生產(chǎn)成本高昂的老內(nèi)存,內(nèi)存炒家紛紛清貨撤出內(nèi)存市場(chǎng)。

關(guān)鍵字:存儲(chǔ)

本文摘自:中關(guān)村在線

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盤點(diǎn)2012年存儲(chǔ)產(chǎn)品十大技術(shù)革新

責(zé)任編輯:sjia |來(lái)源:企業(yè)網(wǎng)D1Net  2012-06-30 08:55:19 本文摘自:中關(guān)村在線

摘要:存儲(chǔ)行業(yè)與廣大網(wǎng)友息息相關(guān),我們使用的電腦里有內(nèi)存和硬盤,手機(jī)里的存儲(chǔ)卡,外部存儲(chǔ)的移動(dòng)硬盤等等。因此存儲(chǔ)產(chǎn)品格外引人注意,它們涉及的技術(shù)更新?lián)Q代較之其他產(chǎn)品要快。

標(biāo)簽:存儲(chǔ)產(chǎn)品 SSD 硬盤

2012年上半年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)分析

IT風(fēng)云數(shù)十載,可謂變化萬(wàn)千。今年上半年內(nèi)存行業(yè)風(fēng)云突變,2月27日爾必達(dá)宣布破產(chǎn)保護(hù)后,內(nèi)存市場(chǎng)一改去年的陰霾,內(nèi)存價(jià)格從去年11月份的百元均價(jià)提高到如今的135元均價(jià)。

令人啼笑皆非的是,上半年內(nèi)存廠商轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存芯片,造成閃存產(chǎn)能過剩,將閃存產(chǎn)業(yè)弄得翻天覆地,SSD固態(tài)硬盤價(jià)格就跟去年內(nèi)存行情一樣跌的稀里嘩啦,網(wǎng)友們樂得滿心歡喜,原來(lái)SSD固態(tài)硬盤可以這么便宜。內(nèi)存商家哀嘆:“搞內(nèi)存的真是去哪,哪倒霉。”

2012年第一季度內(nèi)存芯片市場(chǎng)占有率

閃存廠家回過神祭出生產(chǎn)工藝的大旗,眾閃存廠家齊齊升級(jí)到19nm工藝,這下可愁懷了內(nèi)存廠家,清一色40nm工藝,拼工藝就是拼成本,很快內(nèi)存廠家又給趕回老本行。

內(nèi)存廠家們痛定思痛,三星發(fā)布20nm制造工藝的內(nèi)存成品,爾必達(dá)、海力士、美光涉足25nm,南亞科技和華亞科技、瑞晶紛紛轉(zhuǎn)進(jìn)30nm制造工藝。如今內(nèi)存行業(yè)的制造工藝門檻提到到30nm,將淘汰一批落后產(chǎn)能。

2011年12月-2012年6月宇瞻內(nèi)存價(jià)格走勢(shì)

歷史經(jīng)驗(yàn):我們根據(jù)5年前發(fā)生的DDR2-667升級(jí)DDR2-800時(shí)代,以及前年發(fā)生的DDR3-1066升級(jí)DDR3-1333時(shí)代的過渡規(guī)律。DDR2時(shí)代倒下奇夢(mèng)達(dá),DDR3時(shí)代倒下了爾必達(dá),如果內(nèi)存廠家不跟進(jìn)30nm,結(jié)果是...哪位廠家的后綴帶個(gè)“達(dá)”?免驚,DDR4還沒到呢。

新變化:新內(nèi)存的顆粒芯片普遍采用30nm制造工藝,對(duì)比4GB DDR3-1333所采用的40nm制造工藝,其內(nèi)存芯片的制造成本降低45%,產(chǎn)能提高50%左右。新工藝的好處那么多,難怪廠家們趨之若鷺。

承上啟下:新一代的電腦平臺(tái)默認(rèn)支持1600MHz頻率,推動(dòng)新內(nèi)存普及。使用其他非主流DDR3平臺(tái)的用戶無(wú)需擔(dān)心新版內(nèi)存的使用問題,因?yàn)镈DR3-1600內(nèi)存向下兼容DDR3-1333/1066,我們可以預(yù)見新版DDR3-1600內(nèi)存的轉(zhuǎn)換速度將相當(dāng)快。俗話說(shuō):“走得快,好世界。”內(nèi)存廠家再不趕趟可就晚了。

新時(shí)代的DDR3-1600內(nèi)存,4GB版本無(wú)疑是中堅(jiān)力量,并且普條是推動(dòng)新內(nèi)存普及的最重要力量,它是廣大主流消費(fèi)者購(gòu)買的主要對(duì)象。在即將結(jié)束的2012年上半年,2GB/4GB DDR3-1333陷入恐慌性跌價(jià),廠家不再生產(chǎn)成本高昂的老內(nèi)存,內(nèi)存炒家紛紛清貨撤出內(nèi)存市場(chǎng)。

關(guān)鍵字:存儲(chǔ)

本文摘自:中關(guān)村在線

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