市場一直希望能有一種斷電后能繼續(xù)保存數(shù)據(jù)的DRAM產(chǎn)品，其中的一種解決方案是在同一塊芯片上同時集成DRAM和閃存，不過對于那些更在意性能而不是容量的用戶來說， ST-MRAM（自旋扭矩磁性隨機(jī)存儲器）是一種更好的選擇。

Everspin剛剛宣布了其首款ST-MRAM，這款產(chǎn)品被集成在和DDR3外形尺寸一樣的模塊中，兼容JEDEC DDR3 1600規(guī)格，擁有最高3.2 GBytes/s的帶寬以及納秒級延遲。模塊樣品目前已經(jīng)上市，而量產(chǎn)需要等到2013年。

有趣的是，早在20多年前，由于其不易揮發(fā)的特性，MRAM就被視為取代NAND閃存的潛在高性能產(chǎn)品。不過，從產(chǎn)品容量的角度來說，該技術(shù)還遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法參與競爭。Everspin這次剛宣布的新品容量也僅有64Mb(8MB)。事實上，Everspin目前成熟的MRAM芯片只有4Mb，制造工藝也是過時的180nm制程。相比之下，Intel最新的CPU采用22nm制程。

MRAM的優(yōu)勢在于其性能以及低功耗。在未來，內(nèi)存技術(shù)有望超越閃存甚至是DRAM，達(dá)到SRAM的水平。只要獲得與閃存和DRAM相同的投資力度以及存在同樣大的市場需求，MRAM也有望稱為未來主流內(nèi)存產(chǎn)品。