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混合存儲立方或提升現(xiàn)有內(nèi)存速度10倍

責(zé)任編輯:vivian

2012-08-21 09:41:20

摘自:中關(guān)村在線

計算機存儲芯片制造商美光與三星近日同時宣布,由它們領(lǐng)導(dǎo)的混合存儲立方聯(lián)盟已經(jīng)發(fā)布了混合存儲立方的第一份規(guī)范草案,該草案初步制定了混合存儲立方的接口規(guī)范。

計算機存儲芯片制造商美光與三星近日同時宣布,由它們領(lǐng)導(dǎo)的混合存儲立方聯(lián)盟已經(jīng)發(fā)布了混合存儲立方的第一份規(guī)范草案,該草案初步制定了混合存儲立方的接口規(guī)范。

混合存儲立方是一種先進的存儲芯片,如果研發(fā)成功,它將使計算機性能飛速提升。例如,未來采用混合存儲立方的內(nèi)存,它的傳輸性能將比現(xiàn)役的DDR3內(nèi)存快10倍以上。

除了美光與三星之外,混合存儲立方聯(lián)盟的成員還包括了全球不少大牌企業(yè),例如ARM、惠普,IBM、微軟等等。

據(jù)悉,最終版的混合存儲立方規(guī)范預(yù)計將于今年年底面世。

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