存儲供應商日前在閃存峰會上展示了采用3D NAND，Optane SSD和NVMe協議驅動器等領先技術的新一代企業級SSD硬盤。
英特爾公司新增了全新形態的固態硬盤(SSD)，雙端口3D NAND內存和Optane SSD以及更新的SATA企業級SSD。美光科技推出了采用3D NAND非易失性快速存儲器(NVMe)的PCIe SSD硬盤，其容量高達到11 TB，是所有供應商SSD容量最高的產品，東芝公司推出了64層堆疊的3D NAND內存和NVMe的PCIe SSD硬盤。
英特爾公司推出全新形態的SSD
英特爾公司在峰會上推出了一款名為“ruler”的全新形態的高密度高容量SSD，以其長而薄的形狀像一把尺子而命名。英特爾公司聲稱，“ruler”SSD硬盤可以在使用高密度3D NAND閃存的1U服務器中實現高達1 PB的數據存儲。并表示，這款固態硬盤還將降低傳統2.5英寸和3.5英寸SSD和PCIe附加卡的電源和散熱需求。
除了基于閃存的驅動器，英特爾公司還計劃提供其基于“ruler”的超低延遲的Optane SSD。該公司表示，基于“ruler”的3D NAND和Optane SSD將在“不久的將來”上市，但沒有具體時間表。
英特爾公司最新的雙端口3D NAND內存和Optane企業級SSD專為需要冗余和故障轉移功能的關鍵任務應用而設計，以實現高可用性。英特爾公司指出，它們還提高了IOPS和帶寬，降低了延遲。
英特爾公司正在推出雙端口Optane SSD，以為客戶提供選擇，并計劃在2017年底前將其更廣泛地推出。雙端口3D NAND D4500，D4502和D4600系列PCIe SSD目前是可用的。
英特爾第二代三階存儲單元的(TLC)3D NAND閃存DC S4500和S4600固態硬盤使用了新的內部開發的SATA控制器，更新的SATA固件和更密集的32層堆疊3D NAND閃存。根據英特爾公司的統計，S4600的混合工作負載性能比上一代提高了30%。容量范圍從240 GB到1.92 TB，S4600為3.84 TB，S4500為3.84 TB。截至今年年底，7.68 TB S4500將會推出。 S4500和S4600固態硬盤現已上市，并提供五年保修服務。
美光公司推出新品
美光科技新一代9200系列第二代基于NVMe協議的PCIe Gen 3企業級固態硬盤，比以前的9100系列在容量上得到了顯著的提升。其11 TB選項提供了9100系列3.2 TB的三倍以上容量。9100系列采用多階單元平面NAND閃存技術，而新型9200具有高密度32層堆疊3D NAND內存。
美光公司計劃銷售9200 Eco，Pro和Max型號SSD硬盤，這幾款產品采用半高半長(HHHL)插口和熱插拔U.2的接口。Eco SSD硬盤提供8 TB和11 TB的容量選項; Pro SSD硬盤的容量范圍為1.92至7.68 TB; Max SSD硬盤的容量范圍是1.6 TB到6.4 TB。
Max型號主要用在寫入密集型工作負載，并提供8.6 PB到34.7 PB的數據寫入的容量范圍。混合工作負載Pro型號的容量范圍從3.5 PB到13.7 PB，具體取決于驅動器的容量。而Eco SSD硬盤專為讀取密集型工作負載而設計，容量選項為11.4 PB和15.7 PB。
美光通過免費的存儲執行軟件提供伸縮的容量功能，使用戶能夠調整容量以滿足他們的需求。例如，客戶可以采取專注于讀取密集型工作負載的低持久性驅動，并犧牲容量以增加耐用性，并將該驅動器重新用于寫密集型應用程序。美光企業NVMe的產品營銷經理Dan Florence表示，美光軟件附件也可用于其他產品，提供交互式圖形用戶界面和命令行界面選項。
美光9200系列將于8月31日對外推出。其主要用途包括應用和數據庫加速，實時數據分析，高頻交易和高性能計算。美光公司還計劃在其SolidScale存儲架構中使用9200系列固態硬盤，該設備支持NVMe-oF架構來加快數據傳輸速度。
Florence表示，美光公司更新的控制器技術，固件和并行性有助于將美光公司之前推出的NVMe SSD硬盤的性能提升5%至10%。美光公司供應的SSD硬盤規格顯示了9200 Eco，Pro和Max型號的最大的大區塊順序讀取傳輸速度為4.6 Gbps，順序寫入速度為3.8 Gbps，最大的小區塊隨機讀取性能為100萬IOPS(每秒平均的隨機讀取次數)。Max型號HHHL SSD的最大隨機寫入性能為270,000 IOPS。 Pro SSD的最大隨機寫入性能為170,000 IOPS，而Eco SSD最大隨機寫入性能為110,000 IOPS。
即將推出的東芝SSD硬盤
東芝公司透露，它正在開發64層堆疊3D NAND CM5 NVMe SSD和PM5 12 Gbps SAS SSD。選擇OEM客戶正在對TLC 3D NAND SSD進行抽樣測試，東芝預計到2017年底將完成開發。
雙端口CM5 PCIe Gen 3 SSD硬盤支持降低延遲的NVMe和NVMe-oF協議，并提供多命名空間和多數據流功能。東芝公司聲稱CM5硬盤可以提供高達80萬IOPS的隨機讀取性能和240,000 IOPS的隨機寫入性能，并支持5個每日整盤寫入次數(DWPD)(指在預期壽命內，每天完整寫入SSD固態硬盤所有容量的次數)。據東芝公司稱，三個DWPD模型測試了高達220,000 IOPS的隨機寫入性能。
使用其CM5硬盤，東芝公司在峰會上展示了其非揮發性內存區域(PMR)技術，可以將SSD上的系統內存用于SSD，作為非易失性雙列直插內存模塊(NV-DIMM)的替代品。東芝表示，PMR技術可以使諸如日志記錄和應用程序分級等元數據操作移至SSD硬盤，以節省成本。
東芝公司的PM5 SAS SSD系列將提供一系列容量和耐用性選項：2.5英寸的硬盤容量從400GB到30.72 TB，以及一個，二個，三個，五個和10個每日整盤寫入次數(DWPD的選項。東芝公司聲稱PM5 SSD的四端口MultiLink SAS設計使性能接近基于PCIe的SSD硬盤，使SAS用戶能夠放棄傳統基礎設施的設備。
根據東芝公司的數據，PM5硬盤性能測試顯示高達3350 MBps的順序讀取和2720 MBps的MultiLink模式下的順序寫入，以及高達400,000個IOPS的隨機讀取性能。根據東芝公司的說法，PM5 SSD硬盤還支持多流寫入技術，以便于數據類型的分組，以最小化寫入放大和垃圾收集，并最終降低延遲，提高耐久性，性能，以及服務質量。
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