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Intel、Numonyx宣布相變存儲技術重大突破

責任編輯:企業網

2010-08-06 16:49:29

來源:企業網D1Net

原創

Intel及NUMONYX B.V聯合宣布,他們已在相變存儲技術領域取得了關鍵性重大突破。

Intel及其與意法半導體組建的合資公司NUMONYX B.V.(恒憶半導體)聯合宣布,他們已經在相變存儲(PCM)技術領域取得了關鍵性重大突破。

相變存儲是一種非易失性存儲技術,速度和功耗都優于NOR和NAND閃存,又不像RAM那樣存在易失性(斷電即丟失數據),因此前景廣為看好。Intel已經在該領域潛心研究了很多年,NUMONYX公司就是專門為此成立的,三星也已經開始量產相變存儲芯片。

研究人員們近日首次展示了一種64Mb容量的測試芯片,可以在單個內核(Die)里堆疊或放置多層相變存儲陣列,從而為開發大容量、低功耗、優化空間利用的非易失性存儲應用鋪平了道路。

利用這種技術,Intel和NUMONYX開發了名為相變存儲與切換(phase change memory and switch/PCMS)的垂直整合存儲單元,由一層相變存儲元件和一個新的薄膜雙向閾值開關(OTS)以交叉點陣列的方式組合而成,然后再加上CMOS電路。

這樣一來,就可以在保證相變存儲性能特性的同時大大提高其存儲密度,滿足實用需要,而這正是傳統存儲技術面臨的越來越嚴峻的挑戰。

2009年國際電子設備會以將于12月9日在美國馬里蘭州巴爾的摩市舉行,Intel、NUMONYX屆時會發表聯合論文“可堆疊交叉點相變存儲”,深入介紹該技術的細節情況。

 

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