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大陸三陣營要打破存儲器僅占1%窘境

責任編輯:editor005

2017-03-16 15:20:17

摘自:digitimes

再者,3D NAND技術在2015年、2016年開始起步,預計2017年是大放量年,全年3D NAND占整個NAND Flash市場可達36%

全球存儲器商機上看80億美元,然大陸產(chǎn)值竟然僅占1%,且是由非主流的利基型存儲器(SDRAM)和NOR Flash貢獻,一語道出大陸心急如焚硬闖DRAM和3D NAND的苦楚,更讓三大陣營紫光集團旗下的長江存儲、聯(lián)電的福建晉華、北京GigaDevice明爭暗斗搶當一哥,而當?shù)刂小⑿∑髽I(yè)則是另辟蹊徑敲門新式記憶體MRAM,大家兵分多路就是想突破存儲器這道銅墻鐵壁。

SEMICON China 2017盛大登場,存儲器儲存產(chǎn)業(yè)成為2017年的重頭戲,但尷尬的是,大陸在DRAM和3D NAND主流存儲器發(fā)展路上,仍是處于灑種子階段,但因為內(nèi)需市場龐大,仍吸引美光(Micron)、三星電子(Samsung Electronics)、威騰(WD)等國際大廠來助陣!

全球存儲器市場規(guī)模高達80億美元,包含DRAM、SDRAM、NAND Flash、NOR Flash等,然其中,大陸供應商貢獻的存儲器產(chǎn)值卻僅1%,主要是由北京兆易創(chuàng)新(GigaDevice)等利基型存儲器貢獻,完全沒有主流的產(chǎn)品,因此大陸亟需DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)落地生根。

現(xiàn)在大陸的存儲器分為三大陣營,第一是長江存儲,其購并武漢新芯后,分頭發(fā)展DRAM和NAND Flash兩大技術,生產(chǎn)基地為北京、武漢、南京;第二為聯(lián)電的策略聯(lián)盟伙伴福建晉華,生產(chǎn)基地在晉江,專職于DRAM技術研發(fā);第三大陣營是由北京GigaDevice領軍,其購并美商矽成(ISSI)后,發(fā)展NAND Flash、NOR Flash、SPI Flash、MCU,總部位于北京。

JEDEC也指出,在各種NAND Flash應用中,消耗量最大的是智能手機,占整個NAND Flash應用36%、固態(tài)硬碟(SSD)占24%、快閃記憶卡占16%、Tablet PC占15%、消費性電子占5%,其他為4%。

再者,3D NAND技術在2015年、2016年開始起步,預計2017年是大放量年,全年3D NAND占整個NAND Flash市場可達36%,預計2018年比重3D NAND可一舉超過54%,成為整個產(chǎn)業(yè)的主流。

目前量產(chǎn)的3D NAND技術在32層堆疊和48層堆疊,2017年下半可進入64層和72層堆疊技術,進入2020年左右可以到達96層堆疊技術。

美光的先進存儲器解決方案副總Dean A. Klein表示,儲存技術從最早期的Magnetic Tape、Drum Memory、Core Memory到硬碟(Hard Disk),一直到1966年DRAM出現(xiàn),看似已經(jīng)是存在很久的產(chǎn)品,但相信老狗可以變出新把戲(Teach an old dog new tricks)。

Klein進一步表示,傳統(tǒng)的2D平面式存儲器走到盡頭后,3D NAND技術銜接上來,很多創(chuàng)新的架構和介面問世,以及封裝技術和3D整合等技術讓存儲器的應用更為多元化,還有許多新架構存儲器的誕生如MRAM、XPoint Memory等。

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