摘要：全球存儲模組大廠金士頓預估，今年因為主要DRAM大廠沒有增產計劃，全年DRAM面臨缺貨窘境;群聯董事長潘健成也強調，儲存型快閃存儲(NAND Flash)因為進入3D世代，制程良率無法提升，預估將缺貨一整年。

臺灣金士頓董事長陳建華日前出席群聯竹南三廠上梁典禮時，針對DRAM市場提出最新分析。他強調，目前主要DRAM大廠都沒有增產計劃，而且將產能轉移生產3D NAND Flash，造成DRAM供需短缺。三星是這波DRAM價格上漲主要推手，目前三星逾七成產能已被蘋果、自家手機和大陸OPPO和Vivo包走，能供應其他品牌或個人電腦應用有限，加上產能轉進成長最快速的3D NAND Flash，雖然其他存儲廠也跟進，但制程良率都沒有三星順利。

全球存儲模組大廠金士頓預估，今年因為主要DRAM大廠沒有增產計劃，全年DRAM面臨缺貨窘境;群聯董事長潘健成也強調，儲存型快閃存儲(NAND Flash)因為進入3D世代，制程良率無法提升，預估將缺貨一整年。

由于DRAM和NAND Flash是智能手機和個人電腦必備的電子元件，兩項產品同步缺貨，恐將沖擊手機和個人電腦，甚至消費性電子產品下季出貨表現，尤其對二線廠沖擊會更大。

金士頓是全球存儲模組龍頭，也是全球DRAM和NAND芯片最大用戶，針對今年存儲缺貨提出預警，具指標意義。

臺灣金士頓董事長陳建華日前出席群聯竹南三廠上梁典禮時，針對DRAM市場提出最新分析。他強調，目前主要DRAM大廠都沒有增產計劃，而且將產能轉移生產3D NAND Flash，造成DRAM供需短缺。

根據了解，三星是這波DRAM價格上漲主要推手，目前三星逾七成產能已被蘋果、自家手機和大陸OPPO和Vivo包走，能供應其他品牌或個人電腦應用有限，加上產能轉進成長最快速的3D NAND Flash，雖然其他存儲廠也跟進，但制程良率都沒有三星順利，讓三星更有能力主導價格調升，彌補其Note 7手機電池出包全面停產的巨額損失。

除DRAM供需失衡外，相關印刷電路板材料短缺，也讓DRAM供應模組供貨受牽制，讓DRAM缺貨問題更為嚴重。

雖然金士頓不愿評論今年DRAM漲幅，但稍早集邦出具報告，提出首季標準型DRAM漲幅逾30%，服務器用DRAM漲幅也在25%~30%，行動用DRAM漲幅約15%~20%，利基型存儲約10~15%，尤其標準型和服務器用DRAM，在淡季飆出歷年單季最大漲幅，凸顯全球DRAM供需失衡，通路商和品牌代工廠提早在淡季備貨。

過去以擁有充沛NAND Flash芯片自豪的潘健成很直接地說，群聯目前有50多億元的NAND Flash庫存，但只要他一開賣，這些貨應該很快在一個月內賣光，凸顯缺貨問題已在市場散開，并開始搶貨。

潘健成證實，此時有很多搶貨的“假性需求”出現，他坦承缺貨情況出乎他預料。

他分析，因印度、印尼等新興市場對于手機選購需求，從功能型手機轉為低端智能手機，低端智能手機在儲存存儲上皆采用NAND Flash，雖然容量不高，但他們一拿到手就大量拍照，然后上傳云端，推升服務器對NAND芯片需求爆增。