存儲產業，大陸強勢崛起
中國大陸現在的三大存儲基地已經開工，這可能對臺灣來說，也是一個不大不小的挑戰。
據臺灣媒體報道，近期大陸三股勢力正如火如荼點燃DRAM主導權大戰，長江存儲傳已評估到南京設立12吋廠，聯電大陸DRAM廠福建晉華計劃2018年量產，并在南科廠同步研發25、30納米制程，至于合肥市與北京兆易創新（GigaDevice）合作的合肥長鑫，由前中芯國際執行長王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰2018年，搶當大陸DRAM產業龍頭。
盡管大陸布局自制3DNANDFlash雛形漸現，長江存儲將與已購并飛索（Spansion）的賽普拉斯（Cypress）合作，切入32層和64層3DNAND技術，由于門檻較高，長江存儲仍有機會急起直追國際存儲器大廠，然值得注意的是，全球存儲器產業將率先上演大陸力爭DRAM主導權戲碼。
目前大陸DRAM勢力處于戰國時代，至少有三股DRAM勢力全面競逐版圖，除了長江存儲之外，還有聯電旗下福建晉華，其主要操盤手為前瑞晶總經理、現任聯電資深副總陳正坤，第三股DRAM勢力則是合肥市政府結合GigaDevice及王寧國人馬成立的合肥長芯。
長江存儲與旗下武漢新芯原本是扮演大陸存儲器中心角色，將統籌3DNAND和DRAM兩大存儲器技術發展，然大陸政府傳出針對長江存儲DRAM布局進行規范，若是自行研發DRAM技術必須先量產3DNAND，但若對外購買技術則無此限制，使得長江存儲積極與國際大廠合作，以加速DRAM量產，并獲得專利保護傘。
長江存儲除了積極與美光洽談DRAM技術專利授權，業界亦傳出正著手評估自建或購并現有晶圓廠的可能性，甚至有意跟隨臺積電腳步評估在南京設立12吋晶圓廠，長江存儲執行長楊士寧則表示，將以購并現有晶圓廠為第一考量。
近期武漢新芯12吋新廠已經動起來，單月產能規劃30萬片，涵蓋NANDFlash和DRAM芯片，然業界預期長江存儲兩大產品線的生產基地，最終仍會分開進行。至于大陸另外兩個DRAM陣營亦加快腳步展開研發自制，希望搶在長江存儲之前先量產DRAM技術，以爭取大陸DRAM產業寶座。
聯電與福建晉江地方政府合作成立的福建晉華新廠已經動工，預計2018年進入量產，業界傳出大陸注資近新臺幣100億元，讓聯電在南科廠同時進行25、30納米技術研發，預計2017年底完成技術開發，福建晉華則配合在2018年下半裝機，屆時聯電南科廠DRAM技術將快速轉到福建晉華量產。
盡管福建晉華至少要投入25納米以下制程技術，才有機會獲得大陸官方青睞，但聯電采取較謹慎作法，避免一下子投入25納米技術開發面臨失敗風險，遂同時研發30納米作為備案。
大陸第三股DRAM勢力系由王寧國操刀的合肥長鑫，原本合肥市政府和GigaDevice投資的廠房，傳出主要投入DRAM相關存儲器IC設計，然近期業界傳出該陣營將豪擲逾新臺幣1，000億元，同時進行DRAM研發和制造。
目前大陸這三股DRAM勢力持續進行招兵買馬，并雙頭并進朝向技術專利授權及自主技術研發模式發展，希望趁著大陸DRAM主導權還未底定之前先卡好位，預期2018年這三大DRAM陣營將力拚量產并陷入激戰。
在此期間，大陸瘋狂挖角臺灣僅存的存儲產業人才，這對臺灣來說，是一個重大的打擊。現在臺灣業者和美光的合作，是否對大陸造成重大影響，這又是另一個話題了。
根據臺灣本地的半導體觀察家陸行之所說，目前看來，只要臺灣經濟部投審會能在未來12個月內，（1）有條件通過紫光25％參股力成和南茂案—或改由長江存儲申請參股或交換部分股權；或（2 ）有條件開放IC設計業讓長江存儲參／換股NAND flash控制器的群聯電子；或（3）批準南亞科進行技術合作來換取長江存儲的參股，這些臺灣存儲公司和員工，都還有機會參與中國存儲產業5％到50％自給率一條龍式的全新布局，并與韓國大廠爭奪市場。
如果這些都無法完成，未來五到十年，臺灣存儲產業應會尋求機會與長江存儲設立合資企業，或尋求機會溢價賣給日本歐美大廠尋求下市。否則長江存儲必將大量從力成、南茂、群聯、南亞科高薪挖角以建立自己的供應鏈，并打擊僅存的臺灣存儲相關廠商。
華亞科溢價賣出，力成、南茂同意紫光參股，群聯潘健成董事長最近不斷呼吁政府有條件開放中資投資IC設計和為求企業經營彈性和生存而涉及子公司財報不實案，在在都顯示，奄奄一息的臺灣存儲產業極需要政府更有策略思維的解救。
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