半導(dǎo)體存儲器超越硬盤，成為全球主流存儲器。2015年全球硬盤驅(qū)動器（HDD）的市場銷售額約300億美元，而半導(dǎo)體存儲器的銷售額接近800億美元，半導(dǎo)體存儲器是全球最主流的存儲器。隨著固態(tài)硬盤（SSD）的普及，將進(jìn)一步侵蝕HDD的市場，半導(dǎo)體存儲器的市場地位將越來越高。

在半導(dǎo)體產(chǎn)品中，存儲器所占比重達(dá)到20%以上，是重要的半導(dǎo)體產(chǎn)品類型。2015年全球半導(dǎo)體市場銷售額為3352億美元，其中存儲器的銷售額為772億美元，存儲器在半導(dǎo)體產(chǎn)品中的占比為23%。中國作為全球電子產(chǎn)品的制造基地，一直以來都是存儲器產(chǎn)品最大的需求市場，根據(jù)賽迪顧問的研究，2015年中國大陸地區(qū)的半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模為2843億元（約400億美元）。

半導(dǎo)體存儲器市場被三星、海力士、美光等寡頭壟斷

半導(dǎo)體存儲器是一個高度壟斷的市場，其三大主流產(chǎn)品DRAM，NAND Flash，NOR Flash更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大公司占據(jù)，且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例，2016年第一季度，DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù)，而NAND Flash市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。

（一）DRAM：全球市場規(guī)模約410億美元

目前DRAM行業(yè)基本被三星，海力士，美光三家壟斷了95%以上的市場。2014年，三星、海力士在先進(jìn)制程上表現(xiàn)出眾，三星（Samsung）已大規(guī)模采用 20nm 工藝，毛利達(dá)42%，SK 海力士則以25nm 工藝為主，毛利率達(dá) 40%，兩者獲利能力皆進(jìn)一步提升，而美光的工藝則仍以30nm 制程為主，毛利率約為24%，遠(yuǎn)低于前兩家，故DRAM市場的壟斷格局有加劇之勢，尤其是三星，由于率先進(jìn)入20nm量產(chǎn)時代，成功銷售不少高附加價值產(chǎn)品，2015年DRAM市場雖略有萎縮，但三星的營業(yè)收入反而逆勢生長，突破200億美元大關(guān)，并連續(xù)24年蟬聯(lián)DRAM半導(dǎo)體全球市占率第一。

在移動DRAM市場上，三星與海力士的市占率超過80%，呈現(xiàn)壓倒性優(yōu)勢。

（二）NAND Flash： 全球市場規(guī)模約300億美元

NAND的壟斷形勢比DRAM更加嚴(yán)重，三星依然是行業(yè)龍頭，連續(xù)多年市占率維持在35%左右，東芝則和閃迪聯(lián)手，共同奪得了NAND領(lǐng)域第二的位子，市占率一般保持在30%左右；美光則擁有英特爾的幫助，排行第三；海力士在2011年市占率超過了美光，之后則將重心放在了DRAM方面，2012-14年連續(xù)三年排第四。上述四家公司壟斷了整個NAND市場，且壟斷程度呈上升趨勢，2011年到2014年期間，四大寡頭的NAND市占率由91.3%上升到了99.2%。

（三）NOR Flash： 全球市場規(guī)模約30億美元

相對DRAM和NAND來說，NOR市場要小的多，分散程度也更大，目前市場主要由美光、飛索半導(dǎo)體（被Cypress收購）、旺宏、三星、華邦、兆易創(chuàng)新、宜揚科技七家主導(dǎo)，前五家屬于IDM模式，后兩家屬于Fabless模式，其中兆易創(chuàng)新是我國唯一一家在主流存儲器設(shè)計行業(yè)掌握一定話語權(quán)的企業(yè)，其在NOR Flash領(lǐng)域進(jìn)步飛速，2012年還僅占市占率的3.4%，到2013年已躍居11%，位列全球第四。

紫光聯(lián)手武漢新芯，加快國內(nèi)存儲器發(fā)展

（一）發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)意義重大，彎道超車機遇難得

半導(dǎo)體存儲器芯片行業(yè)是一個高技術(shù)壁壘，高資金壁壘，高度壟斷的“三高”行業(yè)，粗看上去，是一個難以啃下的硬骨頭，國家這兩年砸下重金發(fā)展存儲器，能否實現(xiàn)存儲器的國產(chǎn)化目標(biāo)值得探討。本章我們將從戰(zhàn)略意義和經(jīng)濟(jì)意義兩個角度來分析我國發(fā)展存儲器的必要性，并論述我國為什么要選擇此時大力發(fā)展存儲器行業(yè)。

（二）未來布局：三龍頭重點突破

半導(dǎo)體企業(yè)在建設(shè)初期都有“燒錢”的特征，而存儲器更是整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中資本壁壘最高的一個環(huán)節(jié)，根據(jù)調(diào)研機構(gòu)Semiconductor Intelligence數(shù)據(jù)，存儲行業(yè)是整體半導(dǎo)體資本支出最高的領(lǐng)域，2015年資本支出占整個行業(yè)的38%。三星在2015年規(guī)劃中，半導(dǎo)體相關(guān)資本支出高達(dá)151億美元（其中DRAM占64億，NAND占47億），同比增長13%；海力士為51億美元（38億用于DRAM，13億用于NAND），同比增長12%，美光近年來在DRAM方面與三星和海力士，NAND方面與三星，東芝的差距越來越大，為了扭轉(zhuǎn)這一局面，美光加大新型存儲器研發(fā)力度，2015年資本支出規(guī)劃為38億美元，同比增長186%。

為避免資源過度分散而造成浪費或非必要競爭，我國應(yīng)在存儲器領(lǐng)域重點上培育1-2個龍頭企業(yè)，既重視技術(shù)研發(fā)，也重視資本運作。在國家政策的引導(dǎo)下，企業(yè)強強聯(lián)合，走以資本為紐帶的虛擬IDM道路，上中下游龍頭公司緊密合作，共同發(fā)展。目前，國內(nèi)已形成三方重點力量發(fā)展存儲器，力爭在數(shù)年或十?dāng)?shù)年內(nèi)，實現(xiàn)存儲器的國產(chǎn)替代，并占據(jù)一部分海外市場。

（三）紫光集團(tuán)收購武漢新芯，設(shè)立長江存儲

2015年11月，紫光國芯（原同方國芯）發(fā)布A股有史以來最大定增額度預(yù)案，將在存儲器領(lǐng)域投入932億資金（其中募集資金600億）建設(shè)存儲芯片工廠，主要用于生產(chǎn)閃存芯片。2016年2月，紫光國芯發(fā)布公告，將以37.9億人民幣的價格認(rèn)購力成科技25%的股份，并以23.4億人民幣認(rèn)購南茂科技25%的股份。力成和南茂都是半導(dǎo)體存儲器領(lǐng)域的主要封測廠，紫光布局存儲器的意圖非常明確。

2016年3月，大基金與湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、國開發(fā)展基金有限公司、湖北省科技投資集團(tuán)有限公司簽署協(xié)議，投資240億美元助推武漢新芯重點開發(fā)3D NAND存儲器。

2016年7月26日，長江存儲科技有限責(zé)任公司（簡稱長江存儲）正式成立。公司注冊資本分兩期出資，一期由國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、湖北國芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）和湖北省科技投資集團(tuán)有限公司共同出資，并在武漢新芯的基礎(chǔ)上建立長江存儲。趙偉國任長江存儲董事長，丁文武和楊道虹任副董事長，王繼增任監(jiān)事長，楊士寧任總經(jīng)理。武漢新芯將是長江存儲的全資子公司。二期將由紫光集團(tuán)和國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司共同出資。紫光集團(tuán)將持有武漢長江存儲科技有限公司超過50%的股份，而其他股份由國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金以及武漢市政府支持的一家基金所持有。

長江存儲將以武漢新芯現(xiàn)有的12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ)，繼續(xù)拓展武漢新芯目前的物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)布局，并著力發(fā)展大規(guī)模存儲器。長江存儲將共享紫光和武漢新芯的資金平臺、研發(fā)技術(shù)、市場渠道，從而極大提升企業(yè)的發(fā)展速度，其主要產(chǎn)品為3D NAND，未來將以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲器產(chǎn)品設(shè)計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售于一體，成為我國NAND閃存發(fā)展的排頭兵。

（四）福建晉華攜手臺灣聯(lián)電，兩岸共謀DRAM大計

2016年5月，福建晉華集成電路有限公司宣布與聯(lián)電合作，此次合作將結(jié)合臺灣的半導(dǎo)體制造能力，及中國大陸的市場與資金，由聯(lián)電在臺灣進(jìn)行32納米制程技術(shù)研發(fā)，由晉華提供DRAM特用設(shè)備，并依開發(fā)進(jìn)度支付技術(shù)報酬金為開發(fā)費用，成果將由雙方共同擁有。雙方合作開發(fā)的技術(shù)，主要應(yīng)用在利基型DRAM生產(chǎn)。

7月16日，福建省晉華存儲器集成電路生產(chǎn)線在泉州市晉江舉行開工奠基。該項目一期投資達(dá)370億元，預(yù)計2018年9月形成月產(chǎn)6萬片12英寸內(nèi)存晶圓的生產(chǎn)規(guī)模，預(yù)計年銷售額12億美元，主要用于生產(chǎn)利基型DRAM，而項目的二期工程將在五年內(nèi)擴產(chǎn)至月產(chǎn)12萬片的規(guī)模。

此次合作選擇先以利基型DRAM作為突破口，原因主要有兩個，一是因為其技術(shù)開發(fā)相對容易，二是因為此類DRAM企業(yè)特殊應(yīng)用的小眾市場，通常三星，海力士將重點放在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM上，對于利基型DRAM并沒有固定的生產(chǎn)線，而是根據(jù)市場需求來做調(diào)整安排，若晉華聯(lián)電能專心做好利基型DRAM，專為這一部分市場服務(wù)，無疑將更容易贏得客戶的信賴，有利于打開整個DRAM市場。

（五）合肥政府多方布局，意圖發(fā)展DRAM

合肥政府一直非常重視半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，早在2013年10月，合肥市政府就出臺了《合肥市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃（2013～2020年）》，規(guī)劃中提到，合肥將重點發(fā)展芯片設(shè)計業(yè)和特色晶圓制造，并計劃到2020年，要建設(shè)3~5條特色8英寸或12英寸晶圓生產(chǎn)線，實現(xiàn)綜合產(chǎn)能超10萬~15萬片/月。

2015年4月，合肥面板龍頭京東方傳出要切入DRAM領(lǐng)域，并于10月宣布要與兆基科技合作研發(fā)DRAM技術(shù)，后者是一家DRAM設(shè)計公司，由曾經(jīng)的DRAM市場龍頭企業(yè)爾必達(dá)（2012年被美光收購）部分團(tuán)隊成員成立。

2016年2月，據(jù)日本NHK報道，合肥政府傳出將與兆基科技合作，由合肥政府初期將投入 8000億日圓（約460億人民幣），兆基科技則負(fù)責(zé)工廠設(shè)備引進(jìn)和生產(chǎn)計劃制定，目前廠房已經(jīng)在建設(shè)中，第一步是設(shè)計物聯(lián)網(wǎng)科技所需的低耗電DRAM芯片。力爭2018年投入生產(chǎn)，預(yù)計投產(chǎn)后月產(chǎn)可達(dá)10萬片。

10月20日，合肥長鑫集成電路有限責(zé)任公司長鑫12寸存儲器晶圓制造基地項目第一次環(huán)評公示，揭開合肥發(fā)展存儲器的真面目。該項目投資額為494億元，產(chǎn)能為150萬片/年的12寸存儲器芯片。

技術(shù)變革時期，新型存儲器或助中國彎道超車

我們認(rèn)為大陸發(fā)展半導(dǎo)體存儲器存在三大挑戰(zhàn)：

1）存儲器進(jìn)入壁壘高：傳統(tǒng)的DRAM，NAND Flash，NOR Flash已經(jīng)是一個高度壟斷的市場，而且資金、技術(shù)門檻極高，三、四家龍頭公司霸占了全球90%以上的市場，這樣的市場進(jìn)入壁壘極高。

2）存儲器技術(shù)進(jìn)步快，追趕壓力大：存儲器技術(shù)按照摩爾定律發(fā)展，每1~2年技術(shù)進(jìn)步一代，三星、美光等領(lǐng)頭羊的量產(chǎn)技術(shù)不斷進(jìn)步，大陸在技術(shù)、人才非常落后的情況下追趕的難度可想而知。

3）海外技術(shù)封鎖：半導(dǎo)體技術(shù)是信息技術(shù)的核心，是美日等國對大陸技術(shù)封鎖的主要領(lǐng)域，大陸企業(yè)在需求海外收購和技術(shù)合作方面存在困難。紫光集團(tuán)通過收購美光等海外企業(yè)或與海外企業(yè)合作開發(fā)存儲技術(shù)的努力迄今未取得很大的進(jìn)展（不排除后續(xù)取得較大突破的可能性）。

同時，大陸發(fā)展存儲器也面臨三大機遇：

1）大陸發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)的堅定決心：無論是從信息安全，還是芯片國產(chǎn)化的角度，大力發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為共識。紫光國芯的800億定增，武漢新芯的240億美元投資等，都表明了大陸發(fā)展存儲器的堅定決心。

2）存儲器產(chǎn)業(yè)迎來變革，提供彎道超車機會：傳統(tǒng)2D結(jié)構(gòu)的DRAM和Flash技術(shù)在成本、性能等方面存在不足。3D NAND已經(jīng)量產(chǎn)，3D DRAM、PCM，3D XPoint，RRAM，MRAM等各類新存儲器技術(shù)日益成熟，有望取代傳統(tǒng)DRAM和Flash 成為主流的半導(dǎo)體存儲器。

3）新型存儲器領(lǐng)域的差距小，有望打破行業(yè)壟斷局面：最近10多年來，大陸的高校、研究所、企業(yè)等機構(gòu)在PCRAM、RRAM、3D NAND等新型存儲器領(lǐng)域不斷取得進(jìn)步，與全球頂尖機構(gòu)的差距較小，有望成為彎道超車的突破口。以PCRAM為例，中科院上海微系統(tǒng)所與中芯國際合作開發(fā)，具有自主知識產(chǎn)權(quán)的打印機專用相變存儲器芯片年出貨量已達(dá)到千萬顆的規(guī)模，處于全球領(lǐng)先行列。

在大力發(fā)展存儲器芯片的過程中，我們認(rèn)為，應(yīng)好好利用當(dāng)前存儲技術(shù)的變革時期，著力發(fā)展具備自主知識產(chǎn)權(quán)的新型存儲器，或許能夠?qū)崿F(xiàn)存儲器產(chǎn)業(yè)的彎道超車。在新型存儲器方面，應(yīng)重點發(fā)展3D NAND、3D DRAM、PCRAM和MRAM，并密切關(guān)注英特爾和美光的3D Xpoint技術(shù)量產(chǎn)進(jìn)度，以及三星、海力士、東芝等龍頭企業(yè)的研發(fā)動向。