全球研究者們對(duì)相變內(nèi)存（PCM）領(lǐng)域投入了大量的時(shí)間和興趣，而斯坦福大學(xué)剛剛實(shí)現(xiàn)了一個(gè)新的突破。相變是指在兩種物理狀態(tài)之間進(jìn)行遷移——即低阻的晶態(tài)和高阻扛的非晶態(tài)。雖然它已經(jīng)在當(dāng)前的存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域展現(xiàn)出了諸多的優(yōu)勢，但仍然不夠完美。正如Extreme Tech所指，業(yè)內(nèi)尚未解決的一大短板，就是延時(shí)。過去30年來，內(nèi)存時(shí)鐘速率已經(jīng)極大地增加，但延時(shí)方面的改進(jìn)卻乏善可陳。
領(lǐng)導(dǎo)這項(xiàng)研究的斯坦福材料科學(xué)與工程系副教授Aaron Lindenberg，著重關(guān)注了PCM的相變轉(zhuǎn)變速度有多快。更重要的是，他們能否更好地利用這一速度。而他們的發(fā)現(xiàn)，對(duì)PCM的未來發(fā)展尤為重要。
為PCM施加0.5THz的電脈沖（每次5皮秒 / 1皮秒=百億分之一秒），就可以產(chǎn)生可測量的結(jié)晶纖維（理論上可用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)），這一切發(fā)生于大量材料仍處于非晶態(tài)的時(shí)候。
當(dāng)然，最重要的是——這些細(xì)絲是以微微秒的速度生成的。考慮到傳統(tǒng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取器（DRAM）的納秒級(jí)運(yùn)行速度，PCM能夠比它快上千倍。
在投入實(shí)際使用之前，我們?nèi)杂性S多難關(guān)需要克服。文章指出，當(dāng)前主板上遠(yuǎn)未能部署THz級(jí)別的脈沖，因其信號(hào)無法在當(dāng)前PCB那么薄的印刷銅線上很好地工作。
此外，多年來的情況表明，內(nèi)存行業(yè)的價(jià)格太難以捉摸，而廠商多希望在一項(xiàng)新技術(shù)上長期受益，但這很大程度影響了新產(chǎn)品的普及。
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