日本研究人員已經(jīng)開(kāi)發(fā)出可以磁性和非磁性狀態(tài)之間來(lái)回切換快速的儲(chǔ)存材料和裝置，這樣一來(lái)，他們已經(jīng)有可能將固態(tài)驅(qū)動(dòng)器和USB閃存驅(qū)動(dòng)器的存儲(chǔ)容量翻倍。在磁存儲(chǔ)當(dāng)中，一個(gè)磁性膜在各區(qū)域的磁化方向代表數(shù)據(jù)，而以二進(jìn)制形式的電子存儲(chǔ)裝置當(dāng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在數(shù)百萬(wàn)個(gè)微型邏輯門(mén)內(nèi)。
北海道大學(xué)的研究人員認(rèn)為，如果存儲(chǔ)材料可以磁性和非磁性狀態(tài)之間來(lái)回迅速切換，將有可能為現(xiàn)有0/1形式存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)添加A / B磁存儲(chǔ)形式。在本質(zhì)上，這可能會(huì)將存儲(chǔ)容量翻倍。
他們研發(fā)了過(guò)渡金屬氧化物來(lái)作為存儲(chǔ)材料，因?yàn)樗鼈儷@得或失去氧化物離子的時(shí)候，可以在非磁性不導(dǎo)電狀態(tài)和高導(dǎo)電性金屬磁體狀態(tài)之間切換。
不幸的是，獲得或失去氧化物離子需要高溫加熱，不適合室溫操作，或者采用液體堿性電解質(zhì)，它容易泄漏，因此，研究人員開(kāi)發(fā)了自己的替代方法，他們使用鉭鈉薄膜鋪設(shè)在鍶氧化鈷表面，施加三伏特的電流，大約兩到三秒鐘時(shí)間之后，讓它從絕緣狀態(tài)切換到金屬磁體狀態(tài)，施加反向電流，可以切換回絕緣狀態(tài)。
通過(guò)將裝置小型化，可以降低切換耗時(shí)，用于商業(yè)應(yīng)用。研究人員認(rèn)為，他們的方法可以開(kāi)發(fā)新型電磁開(kāi)關(guān)設(shè)備，如高容量閃存開(kāi)發(fā)以及新光電和電熱設(shè)備。
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