在即將過去的2014年，存儲行業的亮點頗多。10TB氦氣硬盤的推出;256GB SSD逐漸成為主流，同時SATA3.0 SSD的最大容量步入TB級別;消費級DDR4內存從幕后登上前臺，于年中上市;M.2 SSD在今年虎頭蛇尾，明年它能火么?

通過產品，我們能洞察行業先機，2015年，它們會是什么樣子?這是今天我們所要關注的話題：

解讀SSD/HDD/DDR4等關鍵詞 看2015年存儲趨勢

SSD：256GB成明年主流 3D閃存拉開序幕

SSD 是存儲行業最能拿得出手的重磅硬件，2014年的IT硬件整體萎靡不振，然而SSD已非當年吳下阿蒙，它正迅速侵蝕HDD的領地。明年256GB SSD 將成為主流，逐漸往499元價位靠攏，更高的性價比將推動SSD的普及，橫豎看，這都是要淘汰HDD的前奏，尤其是今年還有新變化：

隨著3D閃存的出現，明年M.2 SSD能否迎來轉機?

HDD：氦氣硬盤登場 20TB明年降臨?

機械硬盤是一個老生常談的問題，在SSD重壓之下的機械硬盤領域，正發生積極的創新變化。沿用數十年之久的空氣硬盤有了新花樣，它就是氦氣硬盤。在2014年，氦氣硬盤達成全球最大的10TB容量。窮途末路的HDD行業迫切需要更大容量的機械硬盤，2015年，20TB硬盤能否如期而至?

內存：DDR4曲高和寡 DDR3都傷不起啊!

說起DDR4內存，網友們感觸最深的不是它的容量和性能，而是它的價格。對于大多數網友來說，DDR3的容量和性能已綽綽有余。面對價格高昂的DDR4，汝之奈何?

今天，筆者就2015年的存儲關鍵詞進行展望，里面是否有你需要的?

2關鍵字：氦氣硬盤 和SSD拼容量

在機械硬盤領域，空氣充填式技術縱橫數十載。在我們使用的臺式機、筆記本硬盤，當中的磁頭依據空氣動力學懸浮于磁盤碟片的表面。如果我們將硬盤里的空氣抽空，磁頭下落將直接和磁盤碟片接觸，留下不可逆轉的劃痕損傷。

■氦氣硬盤的由來

進入2014年，機械硬盤出現突破性發展，HGST另辟蹊徑從“硬盤封閉、充填氣體技術”著手，突破硬盤容量受“盤抖動”、固有每英寸軌道數(TPI)、以及軌道誤讀(TMR)的限制，采用氦氣充填式技術，結合密封盤體，生產氦氣硬盤。

HGST 7K6000 6TB氦氣硬盤

氦氣硬盤最早與垂直磁記錄技術結合，硬盤廠商打造出7碟6TB硬盤。隨后它和更為先進的疊瓦式磁記錄技術結合，業內首款10TB氦氣硬盤橫空出世，并且功耗、散熱得到有效控制。10TB氦氣硬盤并非疊瓦式磁記錄技術的極限，明年20TB氦氣硬盤可以有么?

■編輯點評：HDD再丟容量優勢 將面臨淘汰

10TB氦氣硬盤

獨樹一幟的氦氣硬盤，突破傳統硬盤的限制，輕松容納5-7張碟片，能夠提高盤片的存儲密度，并且它的運行溫度更低，噪音更小，適合作為倉庫盤。

然而SSD的容量迅猛推進至TB級別，10TB硬盤并不能穩固機械硬盤的容量優勢，發展容量更大的單塊硬盤，并且降低GB價格成為迫在眉睫的事情。20TB硬盤，明年“你”準備好了么?性能完全處于劣勢的HDD，如果再丟失最后的“容量陣地”，準備進博物館養老。

3關鍵字：3D閃存 TB級SSD不懼HDD

SSD的性能威脅HDD的生存，HDD賴以生存的僅剩容量。2014年，閃存依靠3D堆疊技術，其存儲密度得以爆炸式增長，此舉助SSD抄斷HDD的容量后路。3D堆疊芯片技術最早應用于英特爾處理器，后者得以容納更多的晶體管，同時提高處理器的性能。此前閃存芯片采用2D平面型NAND技術，臨近存儲單元的堆放密度極限。

■什么是3D閃存技術?

3D V-NAND閃存晶圓

3D閃存目前僅且只有三星應用到SSD，其名為3D V-NAND技術，采用不同于傳統NAND閃存的排列方式，通過改進型的Charge Trap Flash 技術，在一個3D的空間內垂直互連各個層面的存儲單元，使得在同樣的平面內獲得更多的存儲空間。

■3D閃存有什么用?

3D TLC閃存

3D V- NAND技術經歷兩代技術，從24層柱狀細胞結構發展到32層，可以垂直堆疊更多個“細胞層”--存儲單元，從而提高密度，降低碳足跡，可提供兩倍于傳統 20nm平面NAND閃存的密度和寫入速度。此外，第二代32層3D V-NAND閃存的P/E使用壽命較之2D MLC閃存更長，廠家給予采用3D閃存的SSD更長的質保期限。

■編輯點評：3D閃存為SSD打開容量天窗

2D閃存和3D閃存對比

3D閃存最早起源于3D MLC技術，其轉折點卻在3D TLC技術，最能激發存儲容量，為SSD打開容量天窗。那么問題來了，基于3D閃存的SATA3.0 SSD在明年可以達到2TB么?技術上實現不難，問題在于6000-7000元的高價將它束之高閣。

3D閃存使得SSD在容量上具備和HDD抗衡的潛力，進一步增強SSD的P/E耐久度，為M.2 PCIe SSD的普及埋下伏筆。

4關鍵字：DDR4 就差和DDR3拼價格

DDR3內存推出已經8年，從DDR3-800直到現在的DDR3-3200，其頻率提升3倍，然而它的潛力幾乎被挖到了極限，需要新的內存來替代它。DDR4內存規范早已在2012年推出，2013年DDR4服務器內存率先上市;而消費級的DDR4臺式機內存終于在年中的臺北電腦展如同火山井噴!

規格還是逼格?DDR3 VS DDR4

金士頓、威剛、宇瞻等一線三大巨頭推出家用版DDR4臺式機內存，其初始頻率為2133MHz，此地位大致相當于DDR3-1066。這意味著DDR4還可跨越 2666MHz、3200MHz(其地位對比DDR3則為DDR3-1333、DDR3-1600)。其工作電壓為1.2V，較之DDR3的1.5V降低 20%功耗。

四通道下的DDR4/DDR3內存帶寬對比

集萬千寵愛于一身的DDR4并非全是優點，其2133MHz版本的時序達到驚人的CL15，較之DDR3-1600的CL11進一步“惡化”，后面的DDR4-2666、DDR4-3200還將進一步延遲。所幸它的超高頻率迅速彌補低時序帶來的下降性能。

■DDR4內存的好處

①增加內存帶寬，提高內存到CPU的數據傳輸能力;②提高核芯顯卡的圖形處理性能。

編輯點評：在眾多電腦硬件當中，內存從未如此尷尬，DDR4面臨可有可無的境地，卻聊勝于無。

阻礙DDR4內存普及除了自身價格昂貴，也有“主板+CPU”配套平臺的高門檻。作為率先上市的DDR4-2133，它相當于當年的DDR3-1066內存。明年更為成熟的DDR4-2666甚至DDR4-3200內存能否出現，這取決于內存芯片的制造工藝。

5關鍵字：M.2 SSD 缺的不是性能

M.2 SSD在設計之初，借鑒mSATA SSD留下的遺憾，在兼容性上做了改進。一方面，M.2 SSD可通過走PCI-E總線，輕易突破SATA3.0的性能極限，彌補mSATA SSD的遺憾;另一方面，M.2 SSD還可通過走SATA3.0 6Gbps速率總線， 降低生產成本，接替mSATA SSD停產留下的空缺。

由于閃存的壽命限制，消費級的M.2 PCIe SSD僅超過頂級SATA3.0 SSD大約25%的整體性能，并沒有達到我們預期的驚艷性能。即使這樣性能的M.2 PCIe SSD，它的價格也高出同檔次的SATA3.0 SSD不少。簡單點說，消費者花出去的錢，和他獲得的性能不成正比、不值。

M.2 SATA SSD 卻意外得到廠家的積極響應，M.2 SSD的發揚光大不是在PCI-E總線，卻是在SATA3.0 6Gbps速率總線，這讓人大跌眼鏡。3D閃存翻倍提升P/E耐久度，SSD廠家看到M.2 PCIe SSD降價普及的希望，但是用戶希望明年的M.2 PCIe SSD像SATA3.0 SSD便宜，并不現實。

編輯點評：M.2 SSD 包含①M.2 SATA SSD以及②M.2 PCIe SSD，它并不缺乏性能。作為mSATA SSD的替代者，M.2 PCIe SSD是它的本色，然而高品質閃存造就M.2 PCIe SSD的高價。3D閃存經過磨合，明年出現在M.2 PCIe SSD的可能性較大，其性能大致和浦科特M6e處于同一區間，但是價格不會跌。

看到這里，網友們的心涼了半截：“不降價，3D閃存在M.2 PCIe SSD有什么用?”。萬事開頭難，這畢竟是一個開端，我們騎驢看唱本--等著看結果。