2014年什么最火?除去手機(jī)大廠每年那幾場聲勢浩大的發(fā)布會，DIY市場也有不小的動靜。就存儲行業(yè)而言，SSD今年可謂是風(fēng)生水起，一路跌，還是跌，幾乎跌破消費(fèi)者的心理防線。機(jī)械硬盤也沒有因為SSD的強(qiáng)勢而偃旗息鼓，10TB氦氣硬盤證明了技術(shù)永不止步!伴隨X99的出現(xiàn)，消費(fèi)級DDR4內(nèi)存也瘋狂襲來，就等你出手了!當(dāng)然，還不止這些，且看筆者一一道來。
不斷進(jìn)步!數(shù)讀2014年存儲行業(yè)的變化
●不再猶豫 3D閃存SSD嶄露頭角
SSD固態(tài)硬盤價格走勢從年前跌到年尾，其中低價SSD倍受消費(fèi)者親睞;今年不少品牌推出了性能卓越的旗艦級SSD選擇，不管是在速度、耐久度還是穩(wěn)定性方面都有了全面提升。3D堆疊芯片技術(shù)也首次應(yīng)用到SSD中，寫入更快，質(zhì)保更久。
●毫不讓步 10TB氦氣硬盤霸氣登場
在2013年，由于SSD來勢洶涌，機(jī)械硬盤不得不采取低價實惠的策略，好不容易保留著一些市場關(guān)注度。而在2014年，SSD+HDD的裝機(jī)方式在今年備受推崇，機(jī)械硬盤市場似乎再次活過來。同時，機(jī)械硬盤的創(chuàng)新技術(shù)也有了突破性進(jìn)展，10TB氦氣填充硬盤霸氣登場。
●姍姍來遲 消費(fèi)級DDR4內(nèi)存可以用了
從DDR3到DDR4內(nèi)存發(fā)展是必然趨勢，其中的痛苦掙扎可不簡單。如今X99主板的面世，消費(fèi)級DDR4終于可以大量普及到DIY用戶了，你做好購買的準(zhǔn)備了嗎?
●不斷創(chuàng)新 優(yōu)盤發(fā)展遵循三大方向
優(yōu)盤對用戶來說實在是再熟悉不過了。同質(zhì)化嚴(yán)重、競爭激烈，價格戰(zhàn)早已不能引起消費(fèi)者共鳴。在2014年了，優(yōu)盤產(chǎn)品線改變了策略：開始重視“外貌協(xié)會”的需求，更加注重功能化，大容量極速選擇依然是主方向。
●最得人心 U3閃存卡來得那么及時
在移動互聯(lián)網(wǎng)時代，用戶對高清視頻、照片的需求越來越大，而這些素材對于拍攝裝備提出了更高的要求。U3閃存卡就來得那么及時，滿足4K超高清視頻錄制、照片拍攝、絕不掉幀，讓用戶享受真正流暢的畫面。不僅如此，閃存卡的容量級別也有了量的飛躍，最大達(dá)到512GB，想怎么拍就怎么拍，就是這么任性!
3D閃存 SSD速度與性能跨上新臺階
2014年，越來越多的用戶對SSD不再排斥，甚至不再猶豫。從2014年上半年開始，主流128GB價格全面下探到500元以內(nèi)，400多元的產(chǎn)品稀松平常，300多元的高性價比產(chǎn)品也隨處可見，低價讓SSD到了一個不得不普及的階段，選它就沒錯!
便宜的SSD不在少數(shù)
另外，今年引起轟動的不得不說是3D閃存在SSD的應(yīng)用。3D堆疊芯片技術(shù)最早應(yīng)用于英特爾處理器，CPU得以容納更多的晶體管，同時提高處理器的性能。而在SSD產(chǎn)品線，此前閃存芯片采用2D平面型NAND技術(shù)，臨近存儲單元的堆放密度極限，如何在同等面積下容納更多的存儲單元?3D閃存的到來解決了這個問題。
3D V-NAND閃存晶圓
3D V-NAND技術(shù)采用不同于傳統(tǒng)NAND閃存的排列方式，通過改進(jìn)型的Charge Trap Flash 技術(shù)，在一個3D的空間內(nèi)垂直互連各個層面的存儲單元，使得在同樣的平面內(nèi)獲得更多的存儲空間。 今年，三星升級3D V-NAND技術(shù)改為32層柱狀細(xì)胞結(jié)構(gòu)，可以垂直堆疊更多個“細(xì)胞層”--存儲單元，從而提高密度，降低碳足跡，可提供兩倍于傳統(tǒng)20nm平面NAND閃存的密度和寫入速度，同時使用壽命也更長。
另外，在今年12月浦科特專訪中提到，明年3D TLC也將開始大量應(yīng)用，更激烈的暴風(fēng)雨還在后面!
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