未來的智能手機可能附帶TB級存儲空間，根據(jù)萊斯大學(xué)表示，相關(guān)研究團隊已經(jīng)花了五年時間，最終在室溫下找到制造低電壓阻性RAM(RRAM)方法，無需高溫或高壓條件。RRAM類似于目前在U盤、SSD存儲當(dāng)中采用的閃存芯片，它可以無需恒定電源存儲數(shù)據(jù)，電阻式DRAM數(shù)據(jù)存儲采用電阻而不是晶體管，信息密度比閃存芯片高出很多。
RRAM層也可以層疊，以進一步增加存儲空間，目前，原型產(chǎn)品已經(jīng)可以在郵票大小的芯片上存儲多達(dá)1TB數(shù)據(jù)。
萊斯大學(xué)研究團隊研發(fā)的方法是在一個二氧化硅層上蝕刻5納米的孔，然后將這個個二氧化硅層放置在兩個電極之間，施加電壓來沉積金屬。然后第二次充電破壞電極之間的連接，讓硅充填到間隙當(dāng)中，最后通過施加低電壓脈沖來在硅間隙上存儲數(shù)據(jù)。
雖然該技術(shù)距離在智能手機上實用仍然很遠(yuǎn)，但是已經(jīng)引發(fā)內(nèi)存生產(chǎn)商爭奪這項技術(shù)。萊斯大學(xué)教授James Tour表示，內(nèi)存制造商的技術(shù)授權(quán)將在兩周內(nèi)完成。
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