什么是自旋力矩存儲（Spin-transfer torque memory）技術(shù)？它的設(shè)計是用來解決哪些當(dāng)前閃存芯片不能解決的問題？

Marc Staimer：自旋力矩存儲技術(shù)是利用“擁有自旋角動量的屬性的電子或其他粒子”的一種技術(shù)。其中自旋角動量是兩種量子力學(xué)角動量之一，另一種叫做軌道角動量。

自力矩存儲技術(shù)利用穿過磁場的電流來改變電子自旋向上或向下。自旋力矩存儲技術(shù)也稱為STT-RAM內(nèi)存技術(shù)。STT-RAM有潛力成為一個比flash更高密度、更少成本、更低功耗的非易失性存儲選項。STT-RAM也不是一種像flash這樣的破壞性技術(shù)，也沒有flash的抗磨損壽命問題。

但是，就像很多發(fā)展中的非易失性存儲技術(shù)，如相變內(nèi)存（PCM）、跑道、憶阻器、MRAM、MeRAM和其他的，它還沒有準(zhǔn)備就緒。當(dāng)前的STT-RAM需要過多的電流來調(diào)整旋轉(zhuǎn)。一切都在快速發(fā)展著，但此時的它還不是一個商業(yè)上可用的技術(shù)。