7月8日 三星已在自家的850 Pro系列SSD上采用了3D閃存技術(又稱V-NAND)芯片，而它看起來也會成為傳統閃存的有力繼任者。該方法避開了傳統平面(2D)制造過程中所面臨的“制程縮小、干擾增大”等問題，從理論上來講，通過相互堆疊多層單元，V-NAND可實現更高的存儲密度。不過，多層堆疊并不是三星唯一的武器，因為該公司早就開始運用3bit的TCL技術了。
我們得知三星將把TLC技術運用到3D架構的V-NAND上。
在韓國首爾舉辦的SSD全球峰會上，三星在問答環節期間宣布了3bit V-NAND計劃。我們預計，三星會在今年晚些時候推出“更高存儲密度”的第二代入門級TLC V-NAND驅動器。
對于消費級固態硬盤來說，TLC的缺點在很大程度上有些無關緊要。在三星840系列SSD的耐久度實驗中，TLC產品甚至可在燒錄了數百TB的數據后才掛掉，而這已經遠遠超過了一般人的需要。
至于840 EVO系列SSD，更是巧妙地運用了SLC高速緩存來抵消TLC較慢的寫入速度。綜上所述，三星應該理應拿得出令消費者信服的TLC V-NAND產品。
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