新型態的晶片將推出，未來記憶體及儲存器之間的界線，將越來越模糊，新晶片也已經遠離利基應用產品的范疇，甚至能改變我們使用PC的方式。

PCWorld報導，最新型的晶片具有即時啟動能力，在平板電腦很常見，但是擁有更高的性能。而分析師觀察到，新固態儲存(solid-state storage)技術的發展，有越來越重要的趨勢，MRAM則是對非揮發(non-volatile)記憶體技術越來越重要，另一種抗阻記憶體 (resistive RAM)也受到注意。

常規的記憶體晶片稱為DRAM，每個儲存單位儲存了電荷1和0，但磁阻RAM使用1個電荷，電阻式RAM又稱RRAM是基于兩種材料制成的夾層，具有不同的阻力，構成了外層材料的中心層。

上述的這些新技術，都是實驗室成品，并且已經產生應用，且有更多人使用。許多大型記憶體晶片制造商，已經開始轉移至新技術。瑞薩電子(Renesas Electronics)、日立半導體(Hitachi High-Technologies)和美光(Micron Technology)是日本東北大學(Tohoku University)一個MRAM計劃的主要參與者，而一家新創公司Crossbar則表示2014年8月將為RRAM申請專利。

在MRAM及RRAM兩種技術能夠代替DRAM之前，仍有許多工作要完成，此外分析師認為，新記憶體晶片的價格也需要調低。若廠商愿意降價，會有更多PC廠商將電腦內部插槽擴充或改裝，以便裝設新型晶片。

現今用戶多半使用DRAM來跑程式及暫存系統及軟體所需的數據，當電力不足時，DRAM的內容也會消失，但若使用MRAM或RRAM，即使電腦被關掉，還是有可能恢復到先前工作的某段時間。

平板電腦中常見的Flash Memory在關掉電力后，仍可儲存之前的工作記憶，而新型晶片的記憶能力較快閃記憶體強大。Crossbar表示，RRAM將使PC書寫速度增加20倍，少20倍的用電量，并較NAND Flash耐久10倍。

不過，好的記憶儲存能力可能會帶來一個問題，過去當電腦當機或程式發生問題時，用戶多半會重開機，通常都是記憶體出現問題，所以關機重來即可，但未來若記憶體能夠持續記憶更多東西，要開機重來恐非易事。因此，PC制造商得生產更為堅固牢靠的電腦，讓重開機的機會減少，才能解決此問題。