資料中心(Data Center)將成驅動記憶體業(yè)成長的新動能。隨著云端服務崛起，全球資料中心逐漸往大型(Large)及超大型(Very-Large)發(fā)展;目前這兩類資料中心占整體資料中心的資本支出比重已達六成，且未來仍將節(jié)節(jié)攀升，可望帶動龐大儲存需求，并推助記憶體業(yè)創(chuàng)造另一波成長高峰。
東芝(Toshiba)集團前資深執(zhí)行副總裁暨現(xiàn)任常任顧問齊藤升三(Shozo Saito)表示，企業(yè)界近年來開始仰賴巨量類比資料(Big Analog Data)運算及分析，以提供客戶差異化的服務價值，而在分析巨量資料的過程中還會再衍伸、創(chuàng)造出新的資料，如此龐大的資料流量將使企業(yè)界面臨資訊爆炸 (Info-plosion)的處境。
齊藤進一步引述國際數(shù)據(jù)資訊(IDC)的資料表示，2010年人類創(chuàng)造的資料量為1.8ZB(Zettabyte)，預估至2020年將勁揚至35ZB，如此龐大的資料量固然為資料中心的運算及運作帶來巨大的負擔與挑戰(zhàn)，但同時也為儲存技術與裝置帶來了無限商機。
Rambus執(zhí)行長Ronalad Black也認為，記憶體產業(yè)與云端產業(yè)的發(fā)展將相輔相成。因應這波龐大的商機，無論是針對高效能運算系統(tǒng)(High Performance Computing, HPC)、一般云端運算等，相關供應鏈廠商無不對資料中心悉心布局各種儲存解決方案，包括快閃記憶體(Flash Memory)、固態(tài)硬碟(Solid State Drive, SSD)、傳統(tǒng)硬碟(Hard Disk Drive, HDD)等。
齊藤指出，在眾多儲存解決方案中，NAND快閃記憶體將受惠最多。事實上，層出不窮的新應用將不斷為NAND快閃記憶體帶來新的S曲線(S- curve)生命周期，如數(shù)位相機等電子產品，以及智慧型手機和平板電腦即分別掀起兩次NAND快閃記憶體的需求浪潮。他預估，在2015年之后將出現(xiàn)另一波大規(guī)模的資訊爆炸，勢必將為NAND快閃記憶體帶來第三波成長高峰。
因應資料中心龐大的儲存需求，業(yè)界亦戮力開發(fā)NAND快閃記憶體的新技術及新制程。齊藤表示，三維(3D)NAND快閃記憶體具備高密度儲存容量的優(yōu)勢，已成產業(yè)界新焦點;如東芝以BiCS(Bit-cost Scalable)結構研發(fā)的次世代3D NAND快閃記憶體及3D可變電阻式記憶體(ReRAM)即已于2013年完成送樣，并預計在2015年正式量產。
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