與國際先進技術同步、將在未來30年內統治存儲市場的、中國首個擁有自主知識產權的存儲芯片———相變存儲器將在明年實現寧波造。
1月18日，相變存儲器項目簽約儀式在寧波南苑環球酒店舉行，總投資達到47.5億美元的相變存儲器項目將落戶鄞州區姜山鎮的鄞州工業園區。
據介紹，這是相變存儲技術在中國的首個產業化應用項目，預計明年6月開始投產，最終形成系列化產品，推動寧波成為中國第一個擁有自主知識產權的存儲芯片的制造基地和在全球半導體產業界具有廣泛影響力的大型基地。
“這個項目達產后，我們將有上百名的博士在寧波基地開展工作和研究，屆時寧波將成為存儲芯片的一個智慧高地。”生產商、北京全芯科技公司總裁鄧萬新博士說。
從CPU到內存條到閃存，存儲技術已經發生了翻天覆地的變化，硬盤、U盤、FT卡等是我們常見的存儲產品。但不久這些存儲商品就將被一種全新的存儲技術所淘汰。取而代之的是相變存儲器(簡稱PCM)。
據中國科學院外籍院士、美國工程院院士、耶魯大學教授、北京全芯科技董事長馬佐平(祖籍浙江)介紹，與現有的存儲芯片相比，全芯科技所掌握的相變存儲技術存儲速度快1000倍，耐久性多1萬倍，而且體積更小，也更省電。“相變存儲器是未來發展方向，將逐步取代閃存、磁盤等，應用范圍也非常廣泛，將是未來30年最關鍵的電子產品。”馬佐平說。
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相變儲存技術及其應用
“相(phase)”是物理化學上的一個概念，是指物體的化學性質完全相同，但物理性質發生變化的不同狀態，例如水的三種狀態———水蒸氣(汽相)、液態水(液相)和冰(固相)。物質從一種相變成另外一種相的過程叫做“相變”。
很多物質的相變過程很復雜，相變存儲器就是利用特殊材料在晶態和非晶態之間相互轉化時所表現出來的導電性差異來存儲數據，所以被稱為“相變存儲器”。
相變存儲技術最早起源于美國科學家在20世紀50年代的研究，后來IBM進行了深入研究，并開發出多位相位儲存芯片，使其具備了產業化的基礎。
由美國國家工程院院士領銜的世界領先的半導體專家和企業家創立了美國全芯科技公司，隨后在北京設立了北京全芯科技公司，與中國科學家一起開展相變存儲技術的攻關和應用攻關，目前已積累了一定的自主知識產權，并具備了產業化量產的條件。
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