三星電子再次超越了半導體開發的技術極限。

于本月11日閉幕的、以三星集團內部的研究團隊為對象舉行的“2011三星技術展”上展示了世界首個10nano級的Nand Flash存儲器產品，這是由三星綜合技術院開發的試制品。

三星電子的有關人士補充道“尚處于測試芯片階段，量產日期難以確定。請從掌握技術層面來考慮”，“努力準備的話，明年上半年有可能實現量產”。

今年5月，三星電子量產了以20nano級的Nand Flash為基礎的Micro SD卡，這屬世界首次，但是10nano級產品的量產卻是另外一個不同級別的問題。10nano級的產品一直被認為是半導體技術的“物理極限”，10nano級的半導體電路意味著線寬(電線間距)為10nanometer。業界普遍認為，通過改善單元結構或采用新材料等方法可以達到20nano級，但這與細化到10nano級所需的技術的層次是不同的。如果想要超越技術的極限，需要巨額的投資。有分析認為，三星電子通過果敢地推進該項技術的研發，確保了繼續保持與競爭對手間技術差距的跳板。越是細化nano工程，半導體芯片就會變得越小， 晶圓(Wafer)的單位產量也會增加，而且因為制造成本的降低，競爭力也會大幅提升。

另一方面，三星電子存儲器事業部社長全東守最近和記者見面時表示“如果變換思路，就有可能超越技術極限。通過不斷創新，我們能夠繼續發展到10nano以下”。