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Crossbar:ReRAM技術有望顛覆目前的存儲模式,破解人工智能時代的大數據處理

責任編輯:cdeng |來源:企業網D1Net  2018-02-02 13:47:02 本文摘自:EEFOCUS

在人工智能的認知系統里,最重要部分就是通過神經網絡、深度學習等技術讓機器盡可能像人一樣去思考,而機器的世界里只有0和1,這就需要海量數據來幫助機器進行判斷。以前阻礙人工智能發展的主要因素是CPU的處理能力,隨著數據的爆發式增長,傳統的存儲解決方案不僅無法滿足高速計算的需求,而且難以負擔得起數據長期保留產生的費用,這促使很多企業開始尋求新的存儲解決方案。

縱觀2017年的存儲市場,全年規模達到950億美金,供應不足的局面推動存儲芯片收入增長64%,三星也因此在2017年的半導體市場首次超越英特爾登上第一的寶座,可見存儲的市場地位越來越重要,幾乎全球的存儲廠商都在研發小體積、大存儲、低功耗的存儲設備,從而滿足人工智能時代的存儲需求。最近與非網記者采訪了ReRAM存儲技術的發明公司Crossbar,其戰略營銷和業務發展副總裁Sylvain Dubois向記者介紹了Crossbar的最新發展動向。

Crossbar戰略營銷和業務發展副總裁Sylvain Dubois

ReRAM:200W的擦寫速度顛覆當前的存儲方式

在消費電子領域,手機和電腦用戶在購買產品之前,一定為存儲空間大小和價格而糾結過,幾乎所有的電子產品都是存儲空間越大價格越貴,這就致使用戶很難實現大存儲、低總價的預算目標。在人工智能的深度學習和推理過程中,存儲器的擦寫速度決定了神經網絡的計算速度,從而決定系統的判斷速度,Crossbar公司研發的ReRAM技術是非易失性存儲器領域的一種新技術,可以彌補DRAM和Flash的不足。Sylvain Dubois介紹,“ReRAM技術使用了基于硅的轉換材料作為形成金屬導電細絲的宿主,當電壓作用于兩個電極之間時,就會形成納米級導電細絲。金屬導電細絲的優勢在于密度高、交叉線結構,工藝節點可以演進到小于10nm;在結構上可以進行3D堆疊,從而在單個芯片上實現多個TB級的存儲能力。”

ReRAM技術與CMOS兼容,因此使得即便在最先進的工藝制程上,邏輯電路和存儲器可以集成在的同一顆單芯片內。換句話說,ReRAM技術可以將CPU芯片上原本空置的空間加以利用,填充上存儲器,從而增加CPU內部的存儲空間,這樣更多數據就可以存在芯片內部。按照目前的存儲模式,CPU需要外掛存儲器,當進行數據分析時,CPU要先將外部數據傳輸到內部緩存,再進行數據處理,而有了ReRAM存儲技術,CPU的內部存儲空間可以增加256GB甚至更多,CPU可以直接對內部數據進行分析,不受總線寬度的約束,因為數據在CPU內部不容易被盜取,安全性更高;ReRAM技術是非易失存儲器技術,可以工作在極低能耗條件下,甚至關電條件下,能耗能耗比獨立閃存低100倍。

Sylvain Dubois指出,“ReRM存儲技術可以在單芯片上實現太字節(terabyte)存儲,比DRAM高40倍的密度,并具備最高的性能和可靠性。在CES上的Demo 展示已經可以達到200W的擦寫速度,而且ReRAM技術無需糾錯,Crossbar可以和客戶一起開發產品,擦寫速度可以實現更高。”

高可靠性,適用于高速數據處理

人工智能離不開大數據,而大數據處理必然產生熱量,一般的隨著溫度的升高處理器性能會大幅度下降,普通人從電腦和手機的使用過程中可以得到深刻體驗,因此,存儲器在高溫下的穩定性關乎數據中心運營穩定,以及人工智能算法能否按時完成計算。關于ReRAM技術的穩定性,Sylvain Dubois做出了解釋,“因為阻變式轉換的機理是基于電場的,ReRAM存儲單元非常穩定,在-40°C ~125°C的溫度變化范圍內也不打折扣,可以達到200萬次的寫次數,以及在85°C溫度下數據可以保存10年。Flash 的數據保存周期也是10年,但是其存在讀寫干擾。ReRAM技術在-40°C ~125°C的溫度范圍內,不存在讀寫對其它區域的干擾,穩定性更高。”

IP授權模式,爭做存儲領域的arm

采用ReRAM技術的客戶一般分為兩種,一種是需要配合ReRAM技術在自己的芯片中增加存儲空間的SoC廠商,另一種是獨立設計存儲器的廠商。Sylvain Dubois表示,“Crossbar公司采用IP授權的模式,ReRAM技術可以看作存儲領域的IP架構,對于設計能力強的公司需要授權就給予授權,對于數據中心需要尋求第三方的設計產品,可以合作開發產品。”

CMOS和存儲器代工廠分為兩種,一種是專門針對存儲器的代工廠,如:東芝、三星、長江存儲;一種是CMOS代工廠,如:臺積電、中芯國際。而ReRAM技術因為兼容CMOS技術,因此可以采用兩種代工廠進行生產,目前已經和中芯國際在40nm制程展開合作。Sylvain Dubois指出,“我們的產品預計會在2018年中期實現量產,同時在28nm、14nm,以及10nm以下的工藝制程上也在進行研發,國內的BAT等數據中心以及國外的亞馬遜、谷歌都有極大的興趣。”

筆者認為,如果ReRAM技術得到廣泛采用,電腦和手機等消費電子的性價比可以極大地提高,Crossbar公司有望成為存儲領域的“arm”。而且做IP授權的優勢在于,Crossbar公司與其它存儲器設計公司以及SoC廠商都是合作伙伴,而非競爭對手,因此進入市場更加容易。

采訪最后,記者也要求Sylvain Dubois評價一下自己的公司及產品,他表示,“我們在ReRAM技術領域做了深入的研究,目前申請專利數量達到310,通過160個。未來希望和更多客戶進行合作,在存儲技術領域實現更大的突破,ReRAM技術可以廣泛應用于人工智能、IoT、大數據、移動計算、消費電子、汽車、工業等領域。”

關鍵字:ReRAM存儲

本文摘自:EEFOCUS

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Crossbar:ReRAM技術有望顛覆目前的存儲模式,破解人工智能時代的大數據處理

責任編輯:cdeng |來源:企業網D1Net  2018-02-02 13:47:02 本文摘自:EEFOCUS

在人工智能的認知系統里,最重要部分就是通過神經網絡、深度學習等技術讓機器盡可能像人一樣去思考,而機器的世界里只有0和1,這就需要海量數據來幫助機器進行判斷。以前阻礙人工智能發展的主要因素是CPU的處理能力,隨著數據的爆發式增長,傳統的存儲解決方案不僅無法滿足高速計算的需求,而且難以負擔得起數據長期保留產生的費用,這促使很多企業開始尋求新的存儲解決方案。

縱觀2017年的存儲市場,全年規模達到950億美金,供應不足的局面推動存儲芯片收入增長64%,三星也因此在2017年的半導體市場首次超越英特爾登上第一的寶座,可見存儲的市場地位越來越重要,幾乎全球的存儲廠商都在研發小體積、大存儲、低功耗的存儲設備,從而滿足人工智能時代的存儲需求。最近與非網記者采訪了ReRAM存儲技術的發明公司Crossbar,其戰略營銷和業務發展副總裁Sylvain Dubois向記者介紹了Crossbar的最新發展動向。

Crossbar戰略營銷和業務發展副總裁Sylvain Dubois

ReRAM:200W的擦寫速度顛覆當前的存儲方式

在消費電子領域,手機和電腦用戶在購買產品之前,一定為存儲空間大小和價格而糾結過,幾乎所有的電子產品都是存儲空間越大價格越貴,這就致使用戶很難實現大存儲、低總價的預算目標。在人工智能的深度學習和推理過程中,存儲器的擦寫速度決定了神經網絡的計算速度,從而決定系統的判斷速度,Crossbar公司研發的ReRAM技術是非易失性存儲器領域的一種新技術,可以彌補DRAM和Flash的不足。Sylvain Dubois介紹,“ReRAM技術使用了基于硅的轉換材料作為形成金屬導電細絲的宿主,當電壓作用于兩個電極之間時,就會形成納米級導電細絲。金屬導電細絲的優勢在于密度高、交叉線結構,工藝節點可以演進到小于10nm;在結構上可以進行3D堆疊,從而在單個芯片上實現多個TB級的存儲能力。”

ReRAM技術與CMOS兼容,因此使得即便在最先進的工藝制程上,邏輯電路和存儲器可以集成在的同一顆單芯片內。換句話說,ReRAM技術可以將CPU芯片上原本空置的空間加以利用,填充上存儲器,從而增加CPU內部的存儲空間,這樣更多數據就可以存在芯片內部。按照目前的存儲模式,CPU需要外掛存儲器,當進行數據分析時,CPU要先將外部數據傳輸到內部緩存,再進行數據處理,而有了ReRAM存儲技術,CPU的內部存儲空間可以增加256GB甚至更多,CPU可以直接對內部數據進行分析,不受總線寬度的約束,因為數據在CPU內部不容易被盜取,安全性更高;ReRAM技術是非易失存儲器技術,可以工作在極低能耗條件下,甚至關電條件下,能耗能耗比獨立閃存低100倍。

Sylvain Dubois指出,“ReRM存儲技術可以在單芯片上實現太字節(terabyte)存儲,比DRAM高40倍的密度,并具備最高的性能和可靠性。在CES上的Demo 展示已經可以達到200W的擦寫速度,而且ReRAM技術無需糾錯,Crossbar可以和客戶一起開發產品,擦寫速度可以實現更高。”

高可靠性,適用于高速數據處理

人工智能離不開大數據,而大數據處理必然產生熱量,一般的隨著溫度的升高處理器性能會大幅度下降,普通人從電腦和手機的使用過程中可以得到深刻體驗,因此,存儲器在高溫下的穩定性關乎數據中心運營穩定,以及人工智能算法能否按時完成計算。關于ReRAM技術的穩定性,Sylvain Dubois做出了解釋,“因為阻變式轉換的機理是基于電場的,ReRAM存儲單元非常穩定,在-40°C ~125°C的溫度變化范圍內也不打折扣,可以達到200萬次的寫次數,以及在85°C溫度下數據可以保存10年。Flash 的數據保存周期也是10年,但是其存在讀寫干擾。ReRAM技術在-40°C ~125°C的溫度范圍內,不存在讀寫對其它區域的干擾,穩定性更高。”

IP授權模式,爭做存儲領域的arm

采用ReRAM技術的客戶一般分為兩種,一種是需要配合ReRAM技術在自己的芯片中增加存儲空間的SoC廠商,另一種是獨立設計存儲器的廠商。Sylvain Dubois表示,“Crossbar公司采用IP授權的模式,ReRAM技術可以看作存儲領域的IP架構,對于設計能力強的公司需要授權就給予授權,對于數據中心需要尋求第三方的設計產品,可以合作開發產品。”

CMOS和存儲器代工廠分為兩種,一種是專門針對存儲器的代工廠,如:東芝、三星、長江存儲;一種是CMOS代工廠,如:臺積電、中芯國際。而ReRAM技術因為兼容CMOS技術,因此可以采用兩種代工廠進行生產,目前已經和中芯國際在40nm制程展開合作。Sylvain Dubois指出,“我們的產品預計會在2018年中期實現量產,同時在28nm、14nm,以及10nm以下的工藝制程上也在進行研發,國內的BAT等數據中心以及國外的亞馬遜、谷歌都有極大的興趣。”

筆者認為,如果ReRAM技術得到廣泛采用,電腦和手機等消費電子的性價比可以極大地提高,Crossbar公司有望成為存儲領域的“arm”。而且做IP授權的優勢在于,Crossbar公司與其它存儲器設計公司以及SoC廠商都是合作伙伴,而非競爭對手,因此進入市場更加容易。

采訪最后,記者也要求Sylvain Dubois評價一下自己的公司及產品,他表示,“我們在ReRAM技術領域做了深入的研究,目前申請專利數量達到310,通過160個。未來希望和更多客戶進行合作,在存儲技術領域實現更大的突破,ReRAM技術可以廣泛應用于人工智能、IoT、大數據、移動計算、消費電子、汽車、工業等領域。”

關鍵字:ReRAM存儲

本文摘自:EEFOCUS

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