NetApp的E570陣列支持基于光纖的NVMe，但由于E570并未采用NVMe驅動器，所以其數據訪問速度可能相對較差。

E系列的全閃存E570于今年9月發布，發布會上表示，由于E570支持基于光纖的NVMe，從而將其延遲時間控制在了100 μs以內。

E570通過InfiniBand將RDMA應用于其24個閃存驅動器，進而使之能夠在訪問主機服務器時避免由于延遲而消耗的存儲軟件堆棧代碼，并實現了在內存中的直接寫入或讀取數據。

以這種方式使用NVMe的部分原因在于使用SAS協議——主要指磁盤驅動器訪問協議——訪問閃存驅動器（SSD）不僅速度較慢而且會延長SSD的數據訪問時間，故而其已不再是最優選項。

然而，在陣列中使用NVMe訪問的磁盤驅動器在訪問SAN時（諸如iSCSI或光纖通道），會因為網絡協議而導致延遲。因此，基于光纖的NVMe產品組合應運而生——每個陣列由65000的隊列長度與64000條命令組成。該產品組合可提供遠程直接內存訪問（RDMA），并且還可以繞過通路兩端的協議堆棧。而E570即選擇使用了Mellanox ConnectX InfiniBand適配器。

現有基于光纖的NVMe在存儲寫入訪問方面的延遲控制在30 μs至（以Mangstor NX陣列寫入）50 μs（E8寫入），而讀取延遲則為100或110 μs（E8或Mangstor陣列讀取）。由于E570采用了配有SCSI訪問堆棧的SAS固態硬盤，故而其能將延遲時間控制為100 μs已是相當不錯。另外，E570還配備了一款NVMe至SAS的橋接器。

試想一下， E570如果選用了NVMe閃存驅動器，那么其延遲還將下降一個等級。而我們認為未來的E系列陣列能夠實現這一點。

在柏林舉行的NetApp Insight大會中，博科公司展臺展示了NVMe-over-Fibre Channel訪問一套NetApp陣列的具體情況。且其中仍沒有包括端到端的NVMe訪問計劃。相反，陣列控制器通過光纖連接終止了NVMe，然后再將新傳入的請求分派至指定的一個或多個驅動器。

另外，我們認為這代表NetApp期望貫徹實施端對端的NVMe以實現直接訪問閃存驅動器，從而進一步降低訪問延遲。

然而，就算這種端對端的NVMe訪問形式得以實現，陣列控制器軟件也無法明確陣列中驅動器的數據內容發生了何種變化。由此看來，端對端的NVMe訪問形式將產生極為深遠的影響。