根據TrendForce 旗下記憶體儲存研究(DRAMeXchange) 調查，由于DRAM 廠近兩年來產能擴張幅度有限，加上制程轉換的難度，DRAM 供給成長明顯較往年放緩，配合下半年終端市場消費旺季，DRAM 合約價自去年中開啟漲價序幕;但三星傳出在考慮提高競爭者進入門檻下，可能擴大DRAM 產能，此舉恐將改變DRAM 供給緊俏格局。

DRAMeXchange 研究協理吳雅婷指出，以主流標準型記憶體模組(DDR4 4GB) 合約價為例，從去年中開始起漲，由當時的DDR4 4GB 13 美元均價拉升至今年第4 季合約價30.5 美元，報價連續6 個季度向上，合計漲幅超過130%，帶動相關DRAM 大廠獲利能力大幅提升。

截至目前為止，三星第2 季度DRAM 事業營業利益率來到59%，SK 海力士也有54% 的表現，美光達44%。展望第4 季，DRAM 合約價持續上漲，各家廠商的獲利能力可望繼續攀升。

因DRAM 產業已進入寡占格局，理論上廠商對高獲利的運作模式是樂觀其成，但在連續數季記憶體價格上升的帶動下，SK 海力士、美光都累積許多在手現金。

有了豐沛的資源，SK 海力士將在年底進行18nm 制程轉進，無錫二廠也將在明年興建，預計2019 年產出;美光借著股價水漲船高之際宣布現金增資，代表未來在蓋新廠、擴張產能與制程升級上預做準備，此舉無疑激起三星的警戒心，三星開始思索DRAM 擴產計劃。

三星可能采取的擴產動作，除是因應供給吃緊狀況，最重要的是藉由提高DRAM 產出量，壓抑記憶體價格上漲幅度。雖然短期內的高資本支出將帶來折舊費用的提升，并導致獲利能力下滑，但三星著眼的是長期的產業布局與保有其在DRAM 市場的領先地位，及與其他DRAM 大廠維持1- 2 年以上的技術差距。

此外，明年可說是中國記憶體發展的元年，三星透過壓低DRAM 或是NAND 的價格，將能提升中國競爭者的進入門檻，并使競爭對手虧損擴大、增加發展難度并減緩其開發速度。

DRAMeXchange 指出，三星有意將其平澤廠二樓原定興建NAND 的產線，部分轉往生產DRAM，并全數采用18nm 制程。加上原有Line17 還有部份空間可以擴產，預計三星最多可將2018 年DRAM 產出量達到80-100K，也代表三星的DRAM 產能可能由2017 年底的390K 一口氣逼近至500K 的水準，將帶動三星明年位元產出供給量由原本預估的18% 成長上升至23%。

從整體DRAM 供給來看，2018 年供給年成長率將來到22.5%，高于今年的19.5%，也就是說，明年DRAM 供需缺口將可能被彌平，預期SK 海力士與美光將加入軍備競賽以鞏固市占可能性高，為DRAM 市場增添新的變數。

DRAMeXchange 認為，三星此舉將可能改變DRAM 市場供給緊俏格局，只是修正目前競爭對手的超額利潤，降為較合理獲利結構;隨著大廠將部分投資重心由NAND Flash 轉往DRAM，將可望降低明年NAND Flash 供過于求的情形，進而減緩整體NAND Flash 平均售價(ASP) 下滑的速度。

DRAMeXchange 強調，三星擴廠或許對2018 年DRAM 市場將帶來部分沖擊，但就整體記憶體產業的長期發展來看未必是負面訊息。