您是否認(rèn)為英特爾的3D XPoint是目前市面上惟一的電阻式RAM（簡(jiǎn)稱ReRAM）技術(shù)方案？事實(shí)上，Crossbar的ReRAM在幾乎各個(gè)方面都更勝一籌，且計(jì)劃于今年年內(nèi)投入生產(chǎn)。

　　Crossbar公司的CMOS芯片

英特爾公司于2015年下半年匆匆投身非易失性內(nèi)存（NVRAM）競(jìng)爭(zhēng)當(dāng)中，并很快公布了其3D XPoint NVRAM解決方案。然而為了能夠盡快交付實(shí)際產(chǎn)品，芯片巨頭不得不大幅下調(diào)部分技術(shù)規(guī)格，并導(dǎo)致最終產(chǎn)品無(wú)法令人滿意。

3D XPoint的實(shí)際表現(xiàn)不僅低于市場(chǎng)的普遍預(yù)期，同時(shí)亦在設(shè)計(jì)層面與英特爾自家CPU綁定在一起。潛在用戶自然希望在英特爾之外找到其它替代性供應(yīng)商選項(xiàng)。

市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)

Crossbar公司就在這時(shí)挺身而出。這家年輕的企業(yè)誕生于2010年，專注于打造一款具有優(yōu)異性能、可擴(kuò)展性以及實(shí)際制造能力的完美ReRAM方案。

Crossbar公司指出，其解決方案的寫(xiě)入速度較NAND閃存高1000倍，功耗水平則僅相當(dāng)于閃存的二十分之一，此外使用壽命同樣達(dá)到閃存的1000倍以上。盡管速度與使用壽命尚無(wú)法與DRAM完全比肩，但二者的水平已經(jīng)相當(dāng)接近，而功耗更是優(yōu)于閃存及DRAM--這一點(diǎn)非常適合移動(dòng)設(shè)備與物聯(lián)網(wǎng)等平臺(tái)。另外，其對(duì)環(huán)境溫度的適應(yīng)能力也值得一提，工作溫度區(qū)間在零下40度到零上125度范圍。

制造能力對(duì)于實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)同樣至關(guān)重要，而Crossbar公司在這方面也交出了一份令人滿意的答卷。其能夠使用標(biāo)準(zhǔn)化CMOS車間，僅添加數(shù)個(gè)步驟即可繼續(xù)沿用現(xiàn)有工具與制造工藝，另外這套方案也可輕松實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)計(jì)并借此提升存儲(chǔ)密度。

不過(guò)3D并不是其惟一的存儲(chǔ)密度提升方式。該公司解釋稱，他們的設(shè)計(jì)方案能夠?qū)崿F(xiàn)8納米級(jí)別制程水平，同時(shí)增加ON狀態(tài)與OFF狀態(tài)間的比例。該公司能夠在幾年之內(nèi)生產(chǎn)出1 TB芯片，并在其中納入更小存儲(chǔ)單元尺寸與充足的分層數(shù)量。

在另一方面，NAND閃存則因單元尺寸下降所引發(fā)的使用壽命及穩(wěn)定性削減而不得不選擇3D堆疊的發(fā)展道路。這意味著各供應(yīng)商只能依靠閃存單元堆疊實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)密度提升。

存儲(chǔ)市場(chǎng)之爭(zhēng)

3D XPoint出師不利對(duì)于Crossbar以及Nantero等NVRAM廠商而言無(wú)疑是一種福音。遲緩的時(shí)間進(jìn)度與令人失望的技術(shù)規(guī)格給了這些廠商喘息之機(jī)，而以微軟為代表的各大專業(yè)軟件廠商則不斷催促著新型存儲(chǔ)解決方案的出爐。

作為英特爾3D XPoint技術(shù)合作伙伴的美光公司對(duì)其計(jì)劃始終保持著戰(zhàn)略性沉默，這意味著3D XPoint發(fā)展路線圖未來(lái)可能會(huì)帶來(lái)更多意外驚喜。但對(duì)我們存儲(chǔ)技術(shù)消費(fèi)者而言，能夠在NVRAM領(lǐng)域獲得更多備選方案顯然是件好事。

現(xiàn)在，睿智的架構(gòu)師與設(shè)計(jì)師們需要以此為基礎(chǔ)，考量如何利用NVRAM的強(qiáng)大能力構(gòu)建起更為出色的設(shè)備與系統(tǒng)方案。