磁存儲是已被使用數(shù)十年的存儲技術(shù)，但它的一個問題是速度較低。瑞士研究人員報告說，找到了極大提高磁存儲速度的方法，有望讓計算機(jī)在不久的將來用上高速的磁內(nèi)存，從而大大減少計算機(jī)啟動時間。

瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工大學(xué)材料系教授彼得羅·甘巴爾代拉領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)在新一期英國《自然·納米技術(shù)》雜志上發(fā)表報告說，利用被稱為“自旋軌道轉(zhuǎn)矩”的物理現(xiàn)象，可以不用通電線圈，僅用通電的特殊半導(dǎo)體薄膜材料就能改變存儲介質(zhì)的磁性，從而實(shí)現(xiàn)磁存儲。

該團(tuán)隊(duì)用新方法改變了一個直徑約500納米的鈷金屬點(diǎn)的磁性，發(fā)現(xiàn)在給其附近的導(dǎo)線通電后，在不到1納秒的時間內(nèi)，鈷金屬點(diǎn)的磁性就發(fā)生了改變。并且鈷金屬點(diǎn)可如此反復(fù)經(jīng)歷上萬億次的磁性變化，說明它可成為高速且耐用的存儲介質(zhì)。與傳統(tǒng)線圈方式的磁存儲器相比，新方法不僅速度快，還不會因?yàn)榫€圈的電阻而消耗能量，能效更高。