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英特爾財報出爐,閃存收益令人憂心

責任編輯:editor006 作者:劉新萍 |來源:企業網D1Net  2017-05-06 22:10:57 本文摘自:ZDNet至頂網

英特爾公司在企業級與消費級SSD業務領域一直是一家強大的競爭參與者,但其虧損額卻始終不容樂觀。要擺脫困境,英特爾需要進一步提升SSD銷量并確保XPoint獲得成功。

在最新季度的財報當中,以下內容值得加以關注:

非易失性內存解決方案部門營收為8.66億美元,較上年同期的5.57億美元增長55%。

這一營收亦較上個季度的8.16億美元提升6%。

NVM解決方案部門繼續保持運營虧損

2017年第一季度--1.29億美元

2016年第四季度--9100萬美元

2016年第一季度--9500萬美元

結果相當糟糕。

尼古拉斯公司分析師Aaron Rakers表示:"該公司指出,本季度的市場需求超過供應能力(在意料之中)。"

然而英特爾方面仍然遭遇到嚴重虧損:"虧損主要源自英特爾公司持續投資3D NAND以及3D XPoint開發工作。"不過需要指出的是,"該公司預計將在2017年下半年實現核心業務的盈虧平衡,并在2018年年底之前實事非易失性存儲業務的整體盈利。"

Rakers還將英特爾公司NVM業務部門的季度營收表現整理為圖表。自2011年以來其表現一直不佳,但2016年開始則逐步轉入營收增長:

英特爾財報出爐,閃存收益令人憂心

  我們認為今年英特爾公司NVMe業務部門的營收增長勢頭仍將繼續保持下去。

不過需要強調的是,其運營成本亦在不斷提升:"英特爾公司重申其2017年的資本支出在115億到125億美元之間,受到3D NAND與3D XPoint投資的影響而較上年高出25億美元。該公司亦同時重申,考慮到其需要繼續建立存儲器代工廠,因此2018年的資本支出可能會繼續增加。"

因此如果要推動NVM業務扭虧為盈,則英特爾必須增加產品銷售額并實現更高利潤率。

P4000級SSD產品

目前產品開發狀態一切良好,新的P4000級數據中心SSD也進展順利。上一代P3000級產品概述如下:

技術--20納米MLC(二層單元)

DC P3100 M.2 128 GB - 1 TB - 11萬4千/1萬讀取/寫入IOPS - 1.8/0.175 GB每秒讀取/寫入傳輸帶寬

2.5英寸外形設計;

DC P3500 - 400 GB - 2 TB容量 - 45萬/3萬5千讀取/寫入IOPS - 2.5/1.7 GB每秒讀取/寫入傳輸帶寬

DC P3600 - 1 TB - 2 TB容量 - 47萬/7萬讀取/寫入IOPS - 2.6/1.7 GB每秒讀取/寫入傳輸帶寬

DC P3700 - 400 GB - 2 TB容量 - 46萬/17萬5千讀取/寫入IOPS - 2.1/1.5 GB每秒讀取/寫入傳輸帶寬

在這里,我們看到2 TB容量、46萬讀取IOPS與2.5 GB每秒讀取傳輸帶寬基本可以作為P3000級產品的基準性能。而最新的P4000級產品繼續沿用P3000的NVMe接口,同時引入新型技術以顯著提升性能水平:

技術--3D NAND TLC(即三層單元)

DC P4500 - 1 TB - 4 TB容量 - 71萬/6萬8千讀取/寫入IOPS - 3.29/1.89 GB每秒讀取/寫入傳輸帶寬

DC P4600 - 1.6 TB - 4 TB 容量 - 70萬2500/25萬7千讀取/寫入IOPS - 3.28/2.1 GB每秒讀取/寫入傳輸帶寬

Optane 3D XPoint

DC P4800X - 55萬讀取IOPS

DC P4600分別提供U.2與附加卡(簡稱AIC)兩種設計形式,其容量亦有所區別:

U.2 - 1.6 TB、2 TB與3.2 TB

AIC - 2 TB與4 TB

英特爾財報出爐,閃存收益令人憂心

英特爾P4500 SSD

P4800X與P4500/4600性能水平

英特爾公司并沒有直接將P4800X與P3000及其它P4000產品進行比較,僅表示這是一款新型非易失性設備及存儲介質。其擁有較NAND P4000更高的使用壽命,且可能提供更出色的低隊列深度性能、可配合DRAM充當準內存,而存儲容量區間則在375 GB到1.5 TB(后者即將推出)范圍。然而這樣的定位使得客戶很難在P4800X、XPoint介質以及標準SSD之間作出選擇。

我們認為,英特爾公司并不希望P4800X大量吞噬其現有NAND SSD產品的銷售額,所以才主要以非NAND方式強調其性能特點。而且考慮到具體應用領域,我們認為P4800X的銷售量很難進行確切估量,且實際結果恐怕并不盡如人意。

而且可能需要一段時間才能證明P4800X到底是否具備實用性。我們認為考慮到這個理由,2017年年內的P4800X SSD銷量可能相對較低。

再說回NAND,一般來講我們可以認定P400 SSD擁有最高4 TB存儲容量,70萬以上讀取IOPS與每秒3.3 GB讀取傳輸帶寬,這樣的表現要明顯優于P3000的2 TB存儲容量、46萬讀取IOPS與2.5 GB每秒讀取傳輸帶寬。這些當然屬于顯著的性能提升。英特爾公司還開發出新的控制器并為P4000 NAND SSD控制器編寫了專用固件,相信這一切也將有助于提升性能水平。

如果英特爾公司能夠推動其NVM業務部門實現扭虧為盈,那么P4000 NAND SSD必將在其中起到至關重要的作用。另外,其搶眼的性能數字也證明P4000確實擁有這樣的潛力。然而考慮到SSD供應商之間的激烈競爭以及英特爾承受的極高資本支出需求,扼止虧損也絕非易事。因此在這里我們給出結論,NVM業務部門在明年仍將繼續保持虧損狀態。

關鍵字:英特爾公司

本文摘自:ZDNet至頂網

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英特爾財報出爐,閃存收益令人憂心

責任編輯:editor006 作者:劉新萍 |來源:企業網D1Net  2017-05-06 22:10:57 本文摘自:ZDNet至頂網

英特爾公司在企業級與消費級SSD業務領域一直是一家強大的競爭參與者,但其虧損額卻始終不容樂觀。要擺脫困境,英特爾需要進一步提升SSD銷量并確保XPoint獲得成功。

在最新季度的財報當中,以下內容值得加以關注:

非易失性內存解決方案部門營收為8.66億美元,較上年同期的5.57億美元增長55%。

這一營收亦較上個季度的8.16億美元提升6%。

NVM解決方案部門繼續保持運營虧損

2017年第一季度--1.29億美元

2016年第四季度--9100萬美元

2016年第一季度--9500萬美元

結果相當糟糕。

尼古拉斯公司分析師Aaron Rakers表示:"該公司指出,本季度的市場需求超過供應能力(在意料之中)。"

然而英特爾方面仍然遭遇到嚴重虧損:"虧損主要源自英特爾公司持續投資3D NAND以及3D XPoint開發工作。"不過需要指出的是,"該公司預計將在2017年下半年實現核心業務的盈虧平衡,并在2018年年底之前實事非易失性存儲業務的整體盈利。"

Rakers還將英特爾公司NVM業務部門的季度營收表現整理為圖表。自2011年以來其表現一直不佳,但2016年開始則逐步轉入營收增長:

英特爾財報出爐,閃存收益令人憂心

  我們認為今年英特爾公司NVMe業務部門的營收增長勢頭仍將繼續保持下去。

不過需要強調的是,其運營成本亦在不斷提升:"英特爾公司重申其2017年的資本支出在115億到125億美元之間,受到3D NAND與3D XPoint投資的影響而較上年高出25億美元。該公司亦同時重申,考慮到其需要繼續建立存儲器代工廠,因此2018年的資本支出可能會繼續增加。"

因此如果要推動NVM業務扭虧為盈,則英特爾必須增加產品銷售額并實現更高利潤率。

P4000級SSD產品

目前產品開發狀態一切良好,新的P4000級數據中心SSD也進展順利。上一代P3000級產品概述如下:

技術--20納米MLC(二層單元)

DC P3100 M.2 128 GB - 1 TB - 11萬4千/1萬讀取/寫入IOPS - 1.8/0.175 GB每秒讀取/寫入傳輸帶寬

2.5英寸外形設計;

DC P3500 - 400 GB - 2 TB容量 - 45萬/3萬5千讀取/寫入IOPS - 2.5/1.7 GB每秒讀取/寫入傳輸帶寬

DC P3600 - 1 TB - 2 TB容量 - 47萬/7萬讀取/寫入IOPS - 2.6/1.7 GB每秒讀取/寫入傳輸帶寬

DC P3700 - 400 GB - 2 TB容量 - 46萬/17萬5千讀取/寫入IOPS - 2.1/1.5 GB每秒讀取/寫入傳輸帶寬

在這里,我們看到2 TB容量、46萬讀取IOPS與2.5 GB每秒讀取傳輸帶寬基本可以作為P3000級產品的基準性能。而最新的P4000級產品繼續沿用P3000的NVMe接口,同時引入新型技術以顯著提升性能水平:

技術--3D NAND TLC(即三層單元)

DC P4500 - 1 TB - 4 TB容量 - 71萬/6萬8千讀取/寫入IOPS - 3.29/1.89 GB每秒讀取/寫入傳輸帶寬

DC P4600 - 1.6 TB - 4 TB 容量 - 70萬2500/25萬7千讀取/寫入IOPS - 3.28/2.1 GB每秒讀取/寫入傳輸帶寬

Optane 3D XPoint

DC P4800X - 55萬讀取IOPS

DC P4600分別提供U.2與附加卡(簡稱AIC)兩種設計形式,其容量亦有所區別:

U.2 - 1.6 TB、2 TB與3.2 TB

AIC - 2 TB與4 TB

英特爾財報出爐,閃存收益令人憂心

英特爾P4500 SSD

P4800X與P4500/4600性能水平

英特爾公司并沒有直接將P4800X與P3000及其它P4000產品進行比較,僅表示這是一款新型非易失性設備及存儲介質。其擁有較NAND P4000更高的使用壽命,且可能提供更出色的低隊列深度性能、可配合DRAM充當準內存,而存儲容量區間則在375 GB到1.5 TB(后者即將推出)范圍。然而這樣的定位使得客戶很難在P4800X、XPoint介質以及標準SSD之間作出選擇。

我們認為,英特爾公司并不希望P4800X大量吞噬其現有NAND SSD產品的銷售額,所以才主要以非NAND方式強調其性能特點。而且考慮到具體應用領域,我們認為P4800X的銷售量很難進行確切估量,且實際結果恐怕并不盡如人意。

而且可能需要一段時間才能證明P4800X到底是否具備實用性。我們認為考慮到這個理由,2017年年內的P4800X SSD銷量可能相對較低。

再說回NAND,一般來講我們可以認定P400 SSD擁有最高4 TB存儲容量,70萬以上讀取IOPS與每秒3.3 GB讀取傳輸帶寬,這樣的表現要明顯優于P3000的2 TB存儲容量、46萬讀取IOPS與2.5 GB每秒讀取傳輸帶寬。這些當然屬于顯著的性能提升。英特爾公司還開發出新的控制器并為P4000 NAND SSD控制器編寫了專用固件,相信這一切也將有助于提升性能水平。

如果英特爾公司能夠推動其NVM業務部門實現扭虧為盈,那么P4000 NAND SSD必將在其中起到至關重要的作用。另外,其搶眼的性能數字也證明P4000確實擁有這樣的潛力。然而考慮到SSD供應商之間的激烈競爭以及英特爾承受的極高資本支出需求,扼止虧損也絕非易事。因此在這里我們給出結論,NVM業務部門在明年仍將繼續保持虧損狀態。

關鍵字:英特爾公司

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