韓國存儲器大廠 SK 海力士 （SK Hynix） 于 25 日一早公布 2017 年第 1 季的財報。由于受惠全球存儲器芯片需求暢旺，市場供不應(yīng)求，存儲器價格持續(xù)上揚的影響下，營收來到 6.28 萬億韓元，較 2016 年同期增加 72%，優(yōu)于市場預(yù)期的 6 萬億韓元。營業(yè)利益也來到 2.46 萬億韓元，也較 2016 年同期大增 339.2%，優(yōu)于分析師預(yù)估的 2.4 萬億韓元。

根據(jù)財報指出，SK 海力士 2017 年的第 1 季凈利為 1.89 萬億韓元，相較 2016 年同期的 4,480 億韓元大幅成長，也優(yōu)于分析師預(yù)估的 1.8 萬億韓元。整體來看2017 年第 1 季營收獲利均創(chuàng)下歷史新高，凈利更較 2016 年同期暴增逾3倍。

SK 海力士表示，首季營收、營業(yè)利益與凈利均創(chuàng)下歷史新高。雖然，每一年的第 1 季通常被視為是全球芯片產(chǎn)業(yè)的淡季。但是，由于存儲器產(chǎn)業(yè)從 2016 年下半年起持續(xù)看漲，再加上市場供不應(yīng)求的情況，使第 1 季 SK 海力士能維持淡季不淡的好成績。

SK 海力士進(jìn)一步指出，第 1 季 DRAM 芯片出貨雖較上一季減少 5%。但是，因為平均出貨價格較上一季大漲 24%，特別是在個人電腦與服務(wù)器使用的存儲器芯片價格上持續(xù)維持高檔，使得價格的變化填補(bǔ)了出貨量的減少情況。至于，在 NAND Flash 快閃存儲器產(chǎn)品上，第 1 季的出貨也較上一季減少 3%，但平均價格卻上漲 5%。

目前，SK 海力士正計劃擴(kuò)大 20 納米 DRAM 的產(chǎn)能，并開始在 2016 年下半年開始量產(chǎn) 1x 納米的 DRAM 產(chǎn)品。而且，自 2016 年年底開始已經(jīng)批量生產(chǎn)了首批 48 層的 3D NAND Flash 快閃存儲器，而且預(yù)計在 2017 年下半年大規(guī)模生產(chǎn)的 72 層 3D NAND Flash 快閃存儲器。至于，在競標(biāo)日本半導(dǎo)體大廠東芝 （TOSHIBA） 的計劃上，SK 海力士將聯(lián)貝恩資本打造國際級團(tuán)隊進(jìn)行競標(biāo)。如果能成功吃下東芝半導(dǎo)體，則 SK 海力士將一躍成為全球第二大 NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)商。