半夜睡不著，爬起床來走到陽臺去抽支煙，發現一只蟑螂，于是跟它聊了很長時間。把我對老婆的不滿，對上司的不爽，對老板的壓榨通通發泄給它聽。煙抽完了，于是我狠狠一腳踩死了它，睡覺了……沒辦法，它知道的太多了……

以上不過是筆者從網上轉載的一個笑話，之所以想拿這個笑話開頭，就在于本文也許回遭遇那只蟑螂的境遇。

本想踏實準備春節放假的筆者，再一次紫光的消息所影響?？偼顿Y2600億元的紫光南京半導體產業基地項目，昨日宣布正式落地。而一個月前，紫光集團在成都砸下2000億元的紫光IC國際城項目。

到此，紫光集團董事長趙偉國在此前宣布，將會投資投中國存儲產業總規模超過700億美元的投資已經在武漢、成都、南京紛紛兌現。為此，他在昨天南京的簽約會上對外界表示：“紫光集團在半導體領域的戰略布局已基本成型”。

不到兩年間，致力于中國存儲產業自主崛起的如此大規模投資應當是前無來者，自然可喜可賀。此后，各界頌揚之聲一片，有的媒體甚至將紫光稱作中國存儲產業的“脊梁”。在某種程度上這種評價并不為過，畢竟紫光集團下轄的成都、武漢、南京存儲基地已經是中國最大的存儲器制造項目了。

在一片叫好聲中，我們也偶然會發現幾滴“冷水”，例如“存儲產業有風險投資需謹慎”之類的警示。不過這種話某種程度上和早上出門家人叮囑的“注意安全”一樣，相信的是百分之百的“安全”，“冷水”趨于隔靴搔癢。

然而，存儲制造產業項目是把雙刃劍，讓紫光集團花出去700億美金的時候收獲風光無限，正如每次簽約儀式上政府領導都會因為新的GDP蛋糕而喜笑顏開，但存儲業者，尤其是占有最大需求企業存儲市，很大會更加關系這種投資真的會如預期的那樣好么，而也許會是紫光倒下去的導火索。

所以說，“下一個倒下的會不會是紫光”，這種考慮并非那么不實際？

當下需要這種投資么？當然，毋庸贅言是肯定了。很多因素都在支撐個結論。大數據、云計算、萬物互聯等需求加速了閃存把HDD趕下神壇的需求，而平面閃存又因摩爾定律對制程工藝的擠兌而讓位3D NAND。換句話說，這正是全球企業級應用閃存產業技術供應與市場需求剛起的年代，紫光集團表示，這些半導體基地投資主要將用于生產 3D NAND Flash、DRAM 等內存芯片，所以說，中國自主產業的此時切入自然是正當其時了。

不過，還有個理由似乎沒太引起大家的注意。那就是，雖說全球3D NAND Flash已經被三星、東芝/閃迪、美光/英特爾、海力士瓜分殆盡，但這種壟斷之勢的源頭在于他們獲得了先進的3D NAND架構技術。目前三星、東芝的3D NAND技術最早都是源自于飛索(Spansion)的Charge Trap架構，接下來英特爾和美光在今年64層技術競爭的時候，也是要轉成Charge Trap架構。紫光下的長江存儲在去年獲得了飛索在3D NAND架構上的IP授權，這才是其入市的真正門票。

老話兒講，“好的開始是成功的一半”。不過，這張門票卻不能成為此時給紫光慶賀的理由，其反倒更像個燙手的山芋。

首先，這也許是個離看臺太遠的門票。三星是最早獲得這種授權的，所以2013年其就研發出堆疊24層的3D NAND，同年就量產 48 層 3D NAND 內存，從而使其在如今的閃存市場可謂是一騎絕塵的感覺。紫光與飛索合作的目標在于共同研發32 層堆疊 3D NAND Flash，這就意味著未來武漢長江存儲為此彈冠相慶的時候，已經被三星落后了很遠了。

當下，東芝、三星、sk海力士已經在64層技術上磨刀霍霍，紫光勢必成為看客。更有甚者，長江存儲此前還專門發布新聞稿澄清，從未發布過 32 層 3D NAND Flash 今年量產的消息，目前連要生產的產品都還未有著落。

其次，飛索的IP授權會有多大價值。中國半導體產業的最為薄弱的環節就在于IC設計，中國嚴重缺乏芯片核心設計的創新能力。為此，兩年前國務院發布《國家集成電路產業發展推進綱要》首要任務和發展重點就在于“著力發展集成電路設計業”，旨希望“以設計業的快速增長帶動制造業的發展”。

紫光希望彎道超車，買來設計IP也是好事。畢竟可以期望，未來其可以有如今華為通過海思擠兌高通那種成就的出現。但筆者咨詢相關人士談到，存儲器的制造技術門檻更高，涉及到高深寬比的溝開挖、完全平行的側壁、在整個硅片面上均勻的淀積層等諸多技術壁壘，其中又涉及到關鍵制造設備等引入與掌握。顯然，這是一個有著高長期投入風險的行業。

紫光幾乎零基礎的產業進入，挑戰毋庸贅言。而且，從2D轉向3D，制程工藝的要求放緩了，未來比拼的重點應是堆疊技術。可以采用更為成熟的2D制程，這對紫光來說是優勢，但如今大家都開始比拼64層堆疊工藝了，堆疊技術的競爭又會留給紫光多少機會呢？

也許，我們能在這上給予紫光更多希望，例如趙偉國一直希望戰略投資美光，我們或許期望美光成熟的3D NAND制造技術可以讓其拿來即用，至少可以降低投資成本。又或是，紫光與西數在南京聯合成立了合資公司，而西數繼續保持了與東芝在3D NAND研發上的合作關系，3D NAND制造也許在紫光南京半導體產業基地項目上會是個很好的突破口。

再者，期望投入之后的產出能否適合那時的市場需求。

1）投資規模夠用么？例如，三星也正于京畿道平澤建設新廠，預定2017年上半啟用，第一期投資額15.6134億美元，建成后估計12寸晶圓月產量可達20萬片。而以紫光南京半導體產業基地為例，其一期將投入約 100 億美元，目標月產能約 10 萬片。且不論技術工藝能力如何，這種投入產業比的比較，意味著紫光在存儲制造上的投入還需要更具規模。還有，幾家巨頭在3D NAND生產投入上是從2D NAND制造生產線上轉型，例如三星在2016年將西安Fab 16工廠16nm MLC產線轉向48層V-NAND，而3D-NAND Flash的廠房新建等投資會遠高于2D時數倍，這就更意味著投資3D NAND產業上巨頭們的優勢未來會更佳顯現。

2）產能提升還重要么？針對企業級3D NAND Flash，除了市場缺口和技術應用剛剛興起給中國留下機會外，產能也給中國留下了巨大的想象空間。但是，這個空間也面臨著巨大挑戰。例如，根據外媒報道，2017年三星新工廠Fab 17和Fab 18也都將投入V-NAND生產，3D技術也將向64層提升，預計三星V-NAND生產比重在2017年Q1可達到45%，Q2將達到50%以上，如今三星在2016年底V-NAND生產比重已突破35%。東芝計劃在未來3年內投資額達8600億日元（75億美元），其中包括將在2017年3月開始建設的新工廠Fab 6，2018年Q3開始量產3D NAND，以及更新現有設備等。這或許意味著，長江、南京、武漢之后首先會是競爭對手在產能上的擠兌，即使目標月產能約 10 萬片能實現。

3）紫光如何承受投資周期的漫長。NAND帶來的技術壁壘勢必導致投資周期的漫長，連現有巨頭都未能幸免。例如，英特爾在2015年3月宣布研制出了32層3D NAND技術，直到一年后的2016年4月才有產品現身，而此時三星已經開始醞釀64層3D NAND 芯片的投產了，但東芝恐怕要到今年下半年才有量產64層的3D NAND能力。他們尚且如此，紫光的前途更會是荊棘坎坷。

綜上所述，投資存儲制造也既造就了紫光之美，也讓其背負了存儲之累。從這方面看，其挖角“臺灣RAM教父”的南亞科總經理高啟全，中華電信前任董事長、臺積電前任首席執行官蔡力行和臺聯電前任首席執行官孫世偉等，似乎也只能算是完里長征第一步。

但不可否認的是，當前布局都是大基金的長尾，想象空間還是巨大的。