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容量6.4TB、每秒64Gb 三星打造百萬IOPS級SSD

責任編輯:editor007 作者:孫斌 |來源:企業網D1Net  2016-08-31 17:24:48 本文摘自:ZDNet至頂網

每天五次全盤寫入,使用壽命可達五年?這可真是了不起的成就。

 

容量6.4TB、每秒64Gb 三星打造百萬IOPS級SSD

三星 PM1725a AIC驅動器

三星公司已經展示了其怪獸級百萬IOPS SSD產品,其最高容量可達6.4 TB,而最大讀取數據速度則為每秒6.4 Gb。

NVMe PCIe為目前速度最快的SSD接口,SAS與SATA則在懸殊的性能對比之下被迅速淘汰。Fusion-io公布的各項早期承諾如今也在3D NAND PCIe閃存驅動器上得以實現。

這款PM1725a同時配備2.5英寸雙端口NVMe 1.2與PCIe HHHL NVMe形式,其中2.5英寸產品為雙端口且提供一個第三代四通道PCIe接口(每秒32 Gb)。

而半高、半長(簡稱HHHL)接入卡版本則擁有一套八通道第三代PCIe接口,其數據交付能力達到每秒64 Gb。

兩款驅動器皆由三星公司的第三代V-NAND 48層TLC(即三層單元)閃存構建而成。其讀取/寫入延遲分別為90/20納秒。三星公司同時指出,其服務質量承諾延遲為讀取95納秒,寫入則為60納秒。使用壽命達在每天五次全盤寫入的情況下可正常運行五年,這使得該系列驅動器成為極具性價比的企業數據中心服務器存儲解決方案——當然,前提是大家負擔得起其價格。

容量6.4TB、每秒64Gb 三星打造百萬IOPS級SSD

三星PM1725a

下面來看性能數據:

· 2.5英寸(雙端口)

o 隨機讀取/寫入IOPS——80萬/16萬。

o 連續讀取/寫入傳輸帶寬——3.3/2.9 GB每秒

· HHHL PCIe AIC (接入卡)

o 隨機讀取/寫入IOPS——105萬/16萬

o 連續讀取/寫入傳輸帶寬——6.4/2.9 GB每秒

NVMe為1.2級。三星EPIC控制器將被用于其中,同時亦配備有基于電容的供電故障保護機制。該系列驅動器擁有200萬小時無故障運行率。

這款產品采用三星第三代V-NAND,為48層結構與單晶片256 Gbit。根據我們了解到的情況,第四代64層V-NAND將采用512 Gbit晶片,其能夠實現容量翻倍并計劃于明年推出。

采用PM1725a驅動器的服務器無疑將迎來顯著的性能提升,而磁盤與基于磁盤的SATA及SAS接口則將逐漸在高性能服務器領域被淘汰出局。

關鍵字:PCIEIOPS

本文摘自:ZDNet至頂網

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責任編輯:editor007 作者:孫斌 |來源:企業網D1Net  2016-08-31 17:24:48 本文摘自:ZDNet至頂網

每天五次全盤寫入,使用壽命可達五年?這可真是了不起的成就。

 

容量6.4TB、每秒64Gb 三星打造百萬IOPS級SSD

三星 PM1725a AIC驅動器

三星公司已經展示了其怪獸級百萬IOPS SSD產品,其最高容量可達6.4 TB,而最大讀取數據速度則為每秒6.4 Gb。

NVMe PCIe為目前速度最快的SSD接口,SAS與SATA則在懸殊的性能對比之下被迅速淘汰。Fusion-io公布的各項早期承諾如今也在3D NAND PCIe閃存驅動器上得以實現。

這款PM1725a同時配備2.5英寸雙端口NVMe 1.2與PCIe HHHL NVMe形式,其中2.5英寸產品為雙端口且提供一個第三代四通道PCIe接口(每秒32 Gb)。

而半高、半長(簡稱HHHL)接入卡版本則擁有一套八通道第三代PCIe接口,其數據交付能力達到每秒64 Gb。

兩款驅動器皆由三星公司的第三代V-NAND 48層TLC(即三層單元)閃存構建而成。其讀取/寫入延遲分別為90/20納秒。三星公司同時指出,其服務質量承諾延遲為讀取95納秒,寫入則為60納秒。使用壽命達在每天五次全盤寫入的情況下可正常運行五年,這使得該系列驅動器成為極具性價比的企業數據中心服務器存儲解決方案——當然,前提是大家負擔得起其價格。

容量6.4TB、每秒64Gb 三星打造百萬IOPS級SSD

三星PM1725a

下面來看性能數據:

· 2.5英寸(雙端口)

o 隨機讀取/寫入IOPS——80萬/16萬。

o 連續讀取/寫入傳輸帶寬——3.3/2.9 GB每秒

· HHHL PCIe AIC (接入卡)

o 隨機讀取/寫入IOPS——105萬/16萬

o 連續讀取/寫入傳輸帶寬——6.4/2.9 GB每秒

NVMe為1.2級。三星EPIC控制器將被用于其中,同時亦配備有基于電容的供電故障保護機制。該系列驅動器擁有200萬小時無故障運行率。

這款產品采用三星第三代V-NAND,為48層結構與單晶片256 Gbit。根據我們了解到的情況,第四代64層V-NAND將采用512 Gbit晶片,其能夠實現容量翻倍并計劃于明年推出。

采用PM1725a驅動器的服務器無疑將迎來顯著的性能提升,而磁盤與基于磁盤的SATA及SAS接口則將逐漸在高性能服務器領域被淘汰出局。

關鍵字:PCIEIOPS

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