東芝半導體與儲存產品公司研發推出新一代N通道MOSFET 30V及60V系列，皆以U-MOS IX-H溝槽式半導體制程為基礎設計，此設計已被使用于降低導通電阻，在各種不同載量下帶來最佳效率；同時也可降低輸出電容。適用于通信設備、伺服器和Data center及網通產品的電源供應器；最新的制程技術，將有助于提高電源的效率。

以U-MOS IX-H溝槽式制程為基礎，進而發展雙面散熱各式規格的高效能小型化封裝，東芝歐洲分部已開始對原使用低壓MOSFET 40V的客戶推廣30V與60V的新封裝產品。在DSOP封裝的散熱效率上有顯著改善；目前雙面散熱全系列皆可在臺灣區提供樣品測試。

東芝新一代功率MOSFET產品幫助設計者降低各種電源管理電路的損耗及縮小板子的空間，包含直流-直流轉換器的high side 及low side開關，以及交流-直流設計中的二次側同步整流。此技術也適合馬達控制及鋰電池電子設備中的保護模組。

在VGS為10V時，30V MOSFET的最大導通電阻僅0.6mΩ，Coss的標準值是2160pF。60V產品提供的導通電阻及Coss的標準值：1.3mΩ及960pF。這可確保加強在既定應用上優化性能的靈活性。

此二款MOSFET U-MOS IX-H 30V與60V系列均可用于薄型表面黏著封裝DSOP Advance，兩者的PCB面積僅5mm x 6mm。選用DSOP Advance方案可顯著地幫助降低系統的溫度，使設計上允許使用較小的散熱片或省去散熱片。此外，所有的MOSFET可操作的通道溫度達175℃。