2015年7月份，英特爾聯(lián)合美光推出了3D XPoint存儲方案，從形式上可理解為3D閃存。這是一種基于電阻的非易失性內(nèi)存存儲方案，讀取延遲10納秒級別，使用壽命即全盤寫入1000萬次級別，介于傳統(tǒng)DRAM、NAND之間。令人印象深刻的是，英特爾稱基于3D XPoint非易失性存儲方案，比傳統(tǒng)NAND閃存速度快1000倍、壽命長1000倍、存儲密度高10倍，號稱1989年NAND閃存推出以來最大的存儲技術創(chuàng)新。

考慮到現(xiàn)在DRAM、固態(tài)硬盤市場的蓬勃發(fā)展，蛋糕可不能僅僅由Intel和美光獨享。惠普與SanDisk共同宣布，雙方將就聯(lián)合推出新內(nèi)存芯片達成合作協(xié)議。這個被稱為Memristor的新技術號稱可比傳統(tǒng)閃存快1000倍，主要面向市場除了移動設備外，還包括數(shù)據(jù)中心等企業(yè)領域。

很明顯，惠普與SanDisk的技術合作旨與英特爾的3D XPoint和三星的3D NAND展開直接競爭，其旨在打破傳統(tǒng)內(nèi)存(RAM)與存儲之間的隔閡惠普和SanDisk表示，其新內(nèi)存產(chǎn)品可于未來大規(guī)模取代傳統(tǒng)DRAM，以更低價格和更快性能入駐企業(yè)數(shù)據(jù)中心。