今年7月份，Intel聯合美光推出了3D XPoint存儲方案，從形式上顆粒可理解為“3D閃存”。

Intel在8月的IDF上上來就介紹了這項新技術，這是一種基于電阻的非易失性內存存儲方案，讀取延遲10納秒級別，使用壽命即全盤寫入1000萬次級別，介于傳統DRAM、NAND之間。

令人印象深刻的是，Intel稱基于3D XPoint非易失性存儲方案，比傳統NAND閃存速度快1000倍、壽命長1000倍、存儲密度高10倍，號稱1989年NAND閃存推出以來最大的存儲技術創新。

考慮到現在DRAM、固態硬盤市場的蓬勃發展，蛋糕可不能僅僅由Intel和美光獨享。

外媒報道稱，惠普與SanDisk周四共同宣布，雙方將就聯合推出新內存芯片達成合作協議。新技術號稱可比傳統閃存快1000倍，主要面向市場除了移動設備外，還包括數據中心等企業領域。

很明顯，惠普與SanDisk的技術合作旨在挑戰英特爾與美光于今年7月共同推出3D Xpoint內存技術。惠普和SanDisk表示，其新內存產品可于未來大規模取代傳統DRAM，以更低價格和更快性能入駐企業數據中心。