存儲技術(shù)是在不斷演講，目前英特爾提供的PCIe P3700 系列以及固態(tài)盤DC S3700 系列產(chǎn)品采用的是2D NAND的固態(tài)盤。其性能是傳統(tǒng)硬盤的1000倍。劉鋼透露說而在2015年下半年推出的下一代NVM（非易失性存儲）的固態(tài)盤，其傳輸速度是目前固態(tài)盤的500倍，完全顛覆目前的固態(tài)存儲，因為目前處于保密階段，沒有透露更多的信息。但是劉鋼表示，新的固態(tài)盤其接口完全不同于目前的PCIe的固態(tài)盤，SATA的固態(tài)盤的接口。
英特爾（中國）有限公司中國區(qū)在線業(yè)務(wù)部總經(jīng)理劉鋼
我們知道目前閃存的瓶頸在接口上，基于下一代NVM的固態(tài)盤，是英特爾與業(yè)內(nèi)友商一起推動的，是基于PCIe之上的NVMe的協(xié)議，是更有效的協(xié)議。
三大創(chuàng)新讓英特爾引領(lǐng)企業(yè)級固態(tài)盤
3D NAND技術(shù)讓固態(tài)盤成本更低
相對目前的固態(tài)盤技術(shù)，采用3D NAND技術(shù)的固態(tài)盤在相同的體積下?lián)碛懈叩拿芏取槭裁从⑻貭枙?017年推出新產(chǎn)品，因為3D NAND應(yīng)用在企業(yè)級固態(tài)盤領(lǐng)域，最重要的因素就是要保證可靠性與持續(xù)性能要高。
“未來的趨勢，固態(tài)盤的成本和硬件的成本也會越縮越小，今天的固態(tài)盤里的介質(zhì)是修平房的技術(shù)，當(dāng)你在這里面修32層樓的時候，半導(dǎo)體材料密度增加幾十倍之后成本會顯著增加嗎？顯然不會。但是帶來的每單位存儲容量的成本就會顯著降低，因為密度增大很多。所以未來技術(shù)發(fā)展來講，一定要比一個部件的成本，未來差距沒有那么大。”劉鋼講到。
下一代NVMe技術(shù)顛覆現(xiàn)有接口
劉鋼舉例說明，就像汽車剛出現(xiàn)的時候，人們對于速度的理解還是在于生物層面，比如跑的更快的馬。當(dāng)前同樣是這樣，對于固態(tài)盤來說，人們只看到目前的SATA接口以及PCIe接口的固態(tài)盤，還沒有意識到全新的顛覆性的傳輸接口出現(xiàn)。新的技術(shù)可以實現(xiàn)在10CM的空間里提供高達(dá)1100萬IOPS的固態(tài)盤。
軟件加速是經(jīng)濟性的加速方法
如果等不及新的技術(shù)，可以采用英特爾的軟件加速解決方案，基于目前可用的英特爾數(shù)據(jù)中心固態(tài)盤P3700以及S3700,通過英特爾高速緩存加速軟件，可以大大改進應(yīng)用性能。實現(xiàn)經(jīng)濟高效的應(yīng)用加速方案。
最后劉鋼表示，“強勁的性能、充足的容量以及值得信賴的耐用性，使我們的固態(tài)盤產(chǎn)品具備了十足的競爭力，” “同時，通過英特爾與行業(yè)合作伙伴的緊密合作，針對不同應(yīng)用進行系統(tǒng)、解決方案層面的調(diào)優(yōu)，也使擁有不同規(guī)模、不同場景、不同應(yīng)用的行業(yè)客戶獲得了最適合其應(yīng)用需求的解決方案。”
京公網(wǎng)安備 11010502049343號