韓國三星電子公司宣布已經完成使用準30nm級別制程（30-39nm之間）DDR4內存模組的開發。目前DDR4內存標準尚未最后成型，不過三星的 DDR4產品在1.2V工作電壓下可達到2.133Gb/s的數據傳輸率。相比之下，DDR3內存的工作電壓則需要在1.35-1.5V的工作電壓下才可 以達到1.6Gb/s的數據傳輸率。

按三星自己的話說，如果把這種1.2V電壓的DDR4內存使用在筆記本上，那么相比1.5V工作電壓的DDR3內存，可省電40%左右。

參考圖：傳統堆挽（Push-Pull）和POD輸入/輸出技術的區別
 

這種內存使用了一種被稱為準漏極開路（POD）的技術，這種技術在GDDR3/GDDR4顯存上曾有使用，在讀寫內存數據時，這種技術可以比DDR3內存的工作電流減小一半左右。

不僅如此，由于采用了新的電路架構設計，三星這種DDR4內存最高的數據傳輸率可高達3.2Gbps，相比之下，DDR3內存僅有1.6Gbps，DDR2則僅800Mbps。

上個月月底，三星曾將一款1.2V 2GB容量的DDR4 unbuffered雙列直插內存條樣品送給了某家內存控制器廠商進行樣品測試。

三星目前正計劃與多家服務器廠商合作，以盡快在今年下半年完成DDR4 JEDEC標準的制定工作。