美國加州圣何塞，2016年1月7日，全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild今日宣布其650V溝槽型場截止IGBT應用于古瑞瓦特新能源公司最新一代光伏逆變器中，該公司是家用和商用逆變器的頂級制造商。由于使用了Fairchild的IGBT，古瑞瓦特將其新型5K-HF逆變器的功率密度與以前型號相比提高了20%。

古瑞瓦特副總裁兼研發總監吳良材表示：“我們的新一代太陽能逆變器在業界率先采用Fairchild的TO2474L封裝IGBT，通過使用IGBT晶圓和4L封裝工藝新技術，我們能夠通過大幅提高驅動信號的開關頻率，充分利用IGBT的特性，從而獲得卓越的安全工作區，而且不會顯著增加半導體的損耗。此外，我們還可以使用更小的磁性元件，從而顯著減小系統尺寸并增強性價比。”

Fairchild高功率工業事業部副總裁趙進說：“古瑞瓦特這樣的業界領導者在其超高效率的下一代光伏逆變器中采用我們的650V場截止溝道IGBT，這為我們的IGBT特性和功能樹立了好的榜樣，這些IGBT采用Fairchild的創新型場截止技術，為要求較低導通和開關損耗的光伏逆變器、UPS、電焊機、通信、ESS和PFC應用提供最優性能。”

古瑞瓦特總裁丁永強表示：“提高逆變器的效率和功率密度是古瑞瓦特研發人員一直以來的目標。半導體技術的進步顯著減少了我們的逆變器所需的金屬部件的比例，這會導致多種好處，包括較小的產品尺寸、較輕的重量、更低的成本，和更方便的運輸和存儲。我們會基于這次成功繼續進步，并繼續在我們的光伏逆變器開發中采用先進技術，從而為客戶提供更多價值以及更佳的效率和功率密度。我們采用更高的開關頻率開發了新的5K-HF逆變器，這是一個更優的布局，使用新的磁性材料，提供業界領先的效率，功率密度提高了20%以上。Fairchild的650V溝槽型場截止IGBT采用的新IGBT技術和創新型封裝，幫助我們實現了這些。