科銳宣布繼續(xù)擴(kuò)展其屢獲殊榮的SiC 1.2kV六單元（six-pack）功率模塊系列，推出新型20A全SiC模塊，作為5-15kW三相應(yīng)用的理想選擇。基于科銳C2M SiC MOSFET和Z-Rec SiC肖特基二極管技術(shù)，該六單元模塊使得設(shè)計(jì)者能夠突破工業(yè)用電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中原有Si基逆變器所帶來(lái)的功率密度、效率和成本方面的諸多局限。

康明斯（Cummins）公司是發(fā)電系統(tǒng)全球領(lǐng)先的制造商，并已經(jīng)在其逆變器平臺(tái)測(cè)試和驗(yàn)證科銳全SiC六單元功率模塊的性能。與此同時(shí)，康明斯的工程師目前也正在其新一代更高效率的產(chǎn)品中集成和拓展這些優(yōu)異特性。

康明斯公司電力電子產(chǎn)品線架構(gòu)主管Brad Palmer表示：“科銳1.2kV全SiC六單元功率模塊系列幫助我們將原本就已領(lǐng)先同級(jí)的逆變器產(chǎn)品提高40%額定功率，同時(shí)降低50%功率損耗，并提升5%效率。這一新型SiC模塊是一項(xiàng)重要的技術(shù)進(jìn)步，其額定電流能實(shí)現(xiàn)Si基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊的4倍。我們很高興能夠早早地了解和測(cè)試這一新技術(shù)，并結(jié)合在我們的產(chǎn)品開發(fā)之中。”

科銳新型全SiC 1.2kV六單元功率模塊

科銳新型全SiC 1.2kV/20A六單元功率模塊憑借MOSFET技術(shù)的零關(guān)斷拖尾電流和肖特基二極管技術(shù)的零反向恢復(fù)電流，實(shí)現(xiàn)了目前業(yè)界最低的開關(guān)損耗。與類似的Si基IGBT相比較，科銳這一新型20A六單元功率模塊能夠在明顯更低的結(jié)點(diǎn)溫度下工作，使得設(shè)計(jì)者可以更好地實(shí)現(xiàn)高頻率和高功率密度，而不需要降低效率。

科銳功率與射頻總經(jīng)理兼副總裁Cengiz Balkas表示：“科銳SiC功率產(chǎn)品始終能夠幫助我們的客戶克服傳統(tǒng)設(shè)計(jì)所帶來(lái)的挑戰(zhàn)，并且能夠?qū)崿F(xiàn)Si基方案很難實(shí)現(xiàn)的優(yōu)異的系統(tǒng)級(jí)性能。康明斯公司采用科銳全SiC六單元模塊實(shí)現(xiàn)了高性能，從而可以幫助開發(fā)高效率和高性價(jià)比的新一代電力轉(zhuǎn)換產(chǎn)品。”