國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封裝的車用 MOSFET 系列，與傳統(tǒng)的 TO-262封裝相比，可減少 50% 引線電阻，并提高 30% 電流。
這款新型車用 MOSFET 系列適合需要低導通電阻 (Rds(on)) 的通用大負荷/高功率通孔應用，內(nèi)燃機 (ICE) 汽車電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)和電池開關(guān)，以及各類微型和全混合動力汽車。新器件采用 IR 先進的硅和封裝技術(shù)，在顯著提高性能的同時可與現(xiàn)有的設(shè)計標準相匹配。
在標準 TO-262 通孔封裝中，除了 MOSFET 導通電阻，源極和漏極引線電阻可增至1mΩ。新 WideLead TO-262 通孔封裝可將引線電阻降至不到 0.5 mΩ，大大減少了引線中的傳導損耗和熱量，在特定的工作溫度下，比傳統(tǒng)的 TO-262 封裝的電流承載能力高30%。根據(jù)評估，在直流電為 40A 和 60A 的條件下，WideLead 引線溫度比標準 TO-262分別低 30% 和 39%。此外，隨著其它封裝技術(shù)的提高，WideLead 比標準 TO-262 封裝中的同等 MOSFET 少傳輸 20% 導通電阻。
所有 IR 車用 MOSFET 產(chǎn)品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念，并經(jīng)過了動態(tài)和靜態(tài)器件平均測試及 100% 自動晶圓級目視檢查。
新器件符合 AEC-Q101 標準，是在IR要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念下研制而成的。它環(huán)保、無鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
產(chǎn)品規(guī)格
器件編號 封裝 V(BR)DSS (V) 10VGS時的
最大導通電阻 (mΩ) TC 為 25°C時的ID 最大值 (A) 10VGS 時的
QG 典型值(nC)
AUIRF1324WL TO-262WL 24 1.3 240 120
AUIRF3004WL TO-262WL 40 1.4 240 160
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