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以前阻礙人工智能發展的主要因素是CPU的處理能力，隨著數據的爆發式增長，傳統的存儲解決方案不僅無法滿足高速計算的需求，而且難以負擔得起數據長期保留產生的費用，這促使很多企業開始尋求新的存儲解決方案。

2018-02-02

電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)是一種正處于開發階段的下一代內存技術。這些內存技術的問題在于它們依賴于異乎尋常的材料和復雜的開關機制，所以下一代內存類型需要更長的開發時間。

2017-09-25

現階段業界也在尋找可大幅降低物聯網設備能源消耗的辦法，為此業界發現物聯網芯片中內嵌“可變電阻式內存”(ReRAM)，有助達成此一節能目標。

2017-04-05

Crossbar是目前競相投入開發非揮發性內存（NVM）技術的多家公司之一；NVM技術可望用于取代閃存，并可微縮至28nm以及更先進工藝。

2017-02-13

以紫光為代表的中國公司正在斥資數百億美元投入NAND、DRAM等等存儲芯片市場，2018年將推出國產3D NAND閃存，意圖實現國家要求的芯片自給率要求。

2017-01-14

目前在下一代存儲芯片的研發當中，除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片（非易失性阻變式存儲器）。近日，兩者合作的結晶終于誕生，中芯國際正式出樣40nm工藝的ReRAM芯片

2017-01-17

作為中國本土半導體制造的龍頭企業，中芯國際（SMIC）的新聞及其取得的成績一直是行業關注的焦點。應用ReRAM這樣新的存儲技術，能夠發揮人工智能真實的潛能，實現速度、低功耗高能效、存儲容量與可制造性的完美結合。

2017-01-17

ReRAM初創企業Crossbar公司已經發布了一款來自SMIC的嵌入式ReRAM芯片樣品，且其目前正在接受評估。Crossbar公司將其技術授權至代工廠商，同時亦在與多位潛在合作伙伴探討推出不同ReRAM內存式芯片的具體方案。

2017-01-17

2016年11月8日，富士通電子元器件（上海）有限公司宣布，推出業界最高密度4 Mbit ReRAM（可變電阻式存儲器）產品MB85AS4MT。

2016-11-16

在數據中心和一些相關的環境中，高端系統正在努力跟上數據處理需求日益增長的步伐。在這些系統中存在若干個瓶頸，會影響系統數據處理能力，其中有一個持續受到過度關注的因素，即存儲器和存儲器層級。

2016-10-14

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