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三星已可實現64層晶粒立體堆疊V-NAND 3D閃存
在美國加州圣克拉拉舉辦的閃充峰會上,三星宣布了一項技術升級突破:第四代V-NAND(立體堆疊3D閃存)已經實現了64層晶粒(DIE)堆疊,存儲密度再次突破新高
堆疊 晶粒
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